您的位置： 专家智库 > >

阚强

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：天津工业大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇等离子体
  • 4篇等离子体激元
  • 4篇局域
  • 2篇多量子阱
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇金属
  • 2篇金属有机化学...
  • 2篇晶体
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇光电
  • 2篇光电集成
  • 2篇光强
  • 2篇光强度
  • 2篇光子
  • 2篇光子晶体
  • 2篇光子晶体结构
  • 2篇发光
  • 2篇发光强度
  • 2篇GAN基LE...

机构

  • 4篇天津工业大学

作者

  • 4篇刘宏伟
  • 4篇刘春影
  • 4篇阚强
  • 4篇杨广华
  • 4篇陈弘达
  • 2篇王真真
  • 2篇杨华

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED
本实用新型属于微电子与光电子技术领域，涉及一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED，该LED由下向上依次包括蓝宝石衬底，GaN成核层一层，GaN无掺杂层一层，n型GaN一层，InGaN/GaN多量子阱，p型GaN欧姆接...
刘春影刘宏伟杨华杨广华阚强陈弘达
文献传递
金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED及其制作方法
本发明属于微电子与光电子技术领域，涉及一种金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED，采用标准CMOS工艺制成，包括集成在P型硅衬底上的P<Sup>+</Sup>N阱发光结及P电极和N电极，P<Sup>+</Sup>和N<S...
刘宏伟刘春影杨广华王真真阚强陈弘达
文献传递
一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED及其制作方法
本发明属于微电子与光电子技术领域，涉及一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED及其制作方法，该LED由下向上依次包括蓝宝石衬底，GaN成核层一层，GaN无掺杂层一层，n型GaN一层，InGaN/GaN多量子阱，p型Ga...
刘宏伟刘春影杨华杨广华阚强陈弘达
文献传递
金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED
本实用新型属于微电子与光电子技术领域，涉及一种金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED，采用标准CMOS工艺制成，包括集成在P型硅衬底上的P<Sup>+</Sup>N阱发光结及P电极和N电极，P<Sup>+</Sup>和N...
刘春影刘宏伟杨广华王真真阚强陈弘达
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0