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何巍: 作品数：25 被引量：3H指数：1; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>; 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

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一种原位等离子体清洗和键合晶片的设备: 本实用新型涉及一种晶片清洗、键合技术，尤其是指一种能高效率完成清洗和键合操作的原位等离子体清洗和键合晶片的设备。这种设备包括真空键合装置（110），还包括等离子体清洗装置，所述等离子体清洗装置与真空键合装置（110）连通...; 代盼李鹏黄寓洋何巍季莲陆书龙董建荣杨辉; 文献传递

Ge基GaInP材料结构和光学性质研究被引量：1: 2015年; 采用高分辨透射电子显微图像(HRTEM)、光致发光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)技术等研究了金属有机化学气相沉积(MOVPE)技术制备的Ge基Ga In P异质外延层的结构和光学性质.研究表明,Ga In P带边发光峰能量位置随温度变化的倒"S"型变化来源于局域态和本征态发光之间的竞争;同时,实验中观察到了由[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]络合物所引起的1.4 e V左右的宽发光峰.不同偏角衬底的Ga In P外延层的变温PL谱和AFM分析表明,9°偏角的Ge衬底上生长的Ga In P外延层的有序度比6°偏角时减小,表面形貌更为平整.此外,Ge衬底和Ga In P之间插入超薄Al As层会增加Ga In P材料的有序度.当Al As界面层厚度由0.5 nm增加到5 nm时,观察到了由于应力增加所导致的Ga In P材料有序度的增加,从而导致载流子弛豫时间增加且呈双指数规律衰减.在Ge/Al As/Ga In P结构中,100 K下的PL谱中出现了与P空位相关的1.57 e V左右宽发光峰,并且该发光峰强度随Al As界面层厚度的增加而增强.; 陈俊霞江德生何巍贾少鹏边历峰陆书龙; 关键词：有序度

双结串行式InGaAs/InGaAsP双端太阳电池及其制作方法: 本发明揭示了一种应用于太阳光谱长波段的双结串联式InGaAs/InGaAsP高效双端太阳电池的制作方法。本发明利用p+InGaAs/n+InGaAs作为隧道结，将基于InP衬底上的InGaAs和InGaAsP太阳电池结果...; 何巍董建荣陆书龙熊康林赵勇明任雪勇黄伍桥杨辉; 文献传递

一种基于热光伏电池的单片连接组件的制备方法: 一种基于热光伏电池的单片连接组件制备方法，包括：I、在半绝缘衬底上生长外延层；II、在相邻设定电池单元之间的选定区域内均加工形成底端达到和/或深入横向传输层的槽状结构，并在槽状结构底部形成隔离槽；III、在槽状结构内壁上...; 谭明陆书龙季莲何巍代盼; 文献传递

在Ge衬底生长的掺硅GaInP中Ge基络合物的光学性质研究: 本文利用光荧光(PL)和拉曼(Raman)研究了Ge衬底上生长的掺硅GaInP 的光学性质.实验发现,1.4Ev处的宽发光峰的强度与是否掺硅有关,我们认为它由[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]络合物引起.同时,Ra...; 何巍陆书龙江德生董建荣杨辉; 关键词：PL RAMAN; 文献传递

一种多结叠层太阳能电池及其制作方法: 本发明涉及一种多结叠层太阳能电池及其制作方法：包括一电池单元叠层体(A)以及分别位于该电池单元叠层体(A)顶部及底部的前电极(12)和背电极(13)，所述电池单元叠层体(A)包括一个底层电池单元(11)以及至少一个层叠连...; 何巍黄寓洋陆书龙董建荣杨辉; 文献传递

背反射式太阳能电池及其制作方法: 本发明提供一种背反射式太阳能电池，包括一基底、依次设置于基底表面的一反射介质膜、一背电极和一电池薄膜。本发明还提供一种背反射式太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaA衬底表面依次生长牺牲层及电...; 季莲杨辉陆书龙董建荣何巍代盼; 文献传递

一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法: 本发明涉及半导体制作技术领域，特别涉及一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法。这种生长GaInP化合物半导体的方法步骤包括：选取Ge衬底置于无残余Ga和In的反应腔室中，然后向反应腔室中通入P<Sub>2</Su...; 何巍陆书龙董建荣杨辉; 文献传递

基于分子束外延(MBE)生长的GaAs/GaInP双结太阳电池: 我们报道了利用分子束外延方法(MBE)生长的GaAs/GaInP 双结太阳电池的最近结果.在一个太阳AM1.5G 下，光电转换效率达到27％.同时，单结的GaAs底层电池和GaInP顶层电池也分别达到26％和16.6％的...; 代盼陆书龙季莲何巍杨辉; 关键词：能量损失; 文献传递

在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法: 本发明公开了一种在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法，包括步骤：S101、选取Ge衬底置于反应腔室中；S102、在所述Ge衬底上生长一As原子层；S103、在所述As原子层上生长一GaAs缓冲层，对所述GaAs缓冲层反...; 贾少鹏何巍陆书龙; 文献传递