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刘勐

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 1篇电桥
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻式
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元软件
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇体硅
  • 1篇体硅工艺
  • 1篇微机电系统
  • 1篇金属
  • 1篇金属腐蚀
  • 1篇惠斯登电桥
  • 1篇机电系统
  • 1篇惯性力
  • 1篇硅工艺
  • 1篇硅基
  • 1篇硅
  • 1篇KOH
  • 1篇电系统

机构

  • 2篇北京大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 2篇郝一龙
  • 2篇刘勐
  • 2篇张威
  • 1篇刘欣

传媒

  • 1篇传感技术学报
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
用于高冲击检测硅基三轴集成压阻式MEMS加速度芯片的建模与仿真被引量：3
2012年
主要讨论硅基单芯片集成的三轴压阻式MEMS加速度计芯片的建模与仿真。通过有限元软件ANSYS建立的结构模型可以较好的理解和分析所要设计的加速度芯片在承受任意不同轴向加速度所产生惯性力时的静态表现。利用有限元软件ANSYS我们详细分析了各个悬臂梁在承受不同轴向惯性力时的应力变化,确定出敏感电阻的位置。通过LS-DYNA软件对所设计的加速度计芯片进行了不同方向撞击刚性墙时的器件受力分析,分析结果表明所设计的结构在理论上是可行的。
刘勐张威郝一龙
关键词：有限元软件硅惯性力惠斯登电桥
KOH湿法腐蚀中防金属腐蚀工艺研究
2012年
介绍了一种采用PROTEK材料作为保护层,在MEMS器件体硅湿法腐蚀加工工艺中保护金属电极的新工艺。采用这种新的工艺可以在MEMS体硅工艺传感器的加工过程中,完成所有IC工艺的加工后再进行MEMS体硅工艺的加工。实验结果表明:采用这种新的材料进行KOH腐蚀工艺的金属表面保护,既可以提高工艺加工效率,又可以提高工艺加工质量。该工艺可以广泛应用于MEMS体硅工艺中KOH湿法腐蚀的工艺加工,也可以应用于光电子器件的工艺加工。
刘勐刘欣张威郝一龙
关键词：微机电系统体硅工艺
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