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孙翔宇

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇红外
  • 7篇探测器
  • 6篇红外探测
  • 6篇红外探测器
  • 4篇存储器
  • 3篇电极
  • 3篇电子材料
  • 3篇热释电
  • 3篇复合材料
  • 3篇复合材
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇电场
  • 2篇电场作用
  • 2篇电路
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇元器件
  • 2篇制备金属
  • 2篇气体传感
  • 2篇气体传感器
  • 2篇离子

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇孙翔宇
  • 13篇吴传贵
  • 11篇罗文博
  • 10篇张万里
  • 7篇帅垚
  • 6篇彭强祥
  • 6篇蔡光强
  • 6篇柯淋
  • 6篇潘忻强
  • 4篇王小川
  • 2篇吴勤勤
  • 1篇张平
  • 1篇朱俊
  • 1篇张平
  • 1篇孟佳
  • 1篇李攀

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2013
  • 3篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法
本发明提供一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法，属于电子薄膜与元器件技术领域。存储器件结构包括：基片、下电极、掺氟金属氧化物以及上电极。该器件利用一种较为新颖的等离子体处理方法，方便可控的制备出缺陷分布均匀...
吴传贵孙翔宇帅垚潘忻强白晓园张万里
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BST薄膜经时击穿的调控方法
BST薄膜经时击穿的调控方法，属于电子元器件技术领域，本发明包括下述步骤：A、将带有BST薄膜的双电容结构的一个输入电极接地；B、对另一个输入电极施加方波偏压。本发明可以保持BST热释电红外探测器工作在较稳定的漏电流状态...
吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里王小川
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非制冷红外探测器及制备方法
非制冷红外探测器及制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括衬底、热敏感单元，热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的厚度为50nm-5um，所述热敏感薄膜的材料为VO<Sub>x1</Sub>，或非晶硅，或...
吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里王小川
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SiO2气凝胶薄膜的结构控制及应用研究
多孔SiO2气凝胶薄膜具有与气凝胶块材相同的纳米级孔洞、高孔隙率和高比表面积等结构特征，因此其同样具有低热导率、低声速、低介电常数和折射率可调等性能特点。同时，由于薄膜特有的与微电子器件兼容性高、方便大面积制备以及易转移...
孙翔宇
关键词：红外探测器多孔SIO2
一种阻变薄膜存储器及其制备方法
本发明属于电子薄膜与元器件技术领域，具体为一种阻变薄膜存储器及其制备方法。本发明通过控制离子注入的区域进而在与光刻掩膜一致的图形范围内引入缺陷，将在阻变行为中起关键作用的导电细丝的生长控制在预定范围内，从而大大提高阻变单...
帅垚潘忻强吴传贵罗文博孙翔宇
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复合材料红外探测器制备方法
复合材料红外探测器制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤：1）制备衬底和绝热层，衬底的厚度为0.01-10mm；绝热层的厚度为100nm~50um；2）在绝热层上制备热敏感单元，所述热敏感单元包括热敏...
吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里
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复合材料红外探测器制备方法
复合材料红外探测器制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤：1）制备衬底和绝热层，衬底的厚度为0.01-10mm；绝热层的厚度为100nm~50um；2）在绝热层上制备热敏感单元，所述热敏感单元包括热敏...
吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里
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具有弯管光腔气室的高精度红外气体传感器
具有弯管气室的高精度红外气体传感器，涉及电子元器件技术领域。本发明包括光腔气室、光源、光源端封闭装置、探测器、探测器端封闭装置，所述光腔气室[6]为弯管气室。本发明增加了有效吸收光程长度，进而提高了测量精度，使热释电探测...
吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里王小川
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一种基于FPC柔性衬底的热补偿型热释电红外单元探测器
本发明属于电子材料与元器件技术领域，提供一种基于FPC柔性衬底的全集成热补偿型热释电红外探测器，包括：器件外壳、器件底座、设置在底座上的电路板；所述电路板为FPC柔性电路板，该电路板上表面集成有场效应管和双元敏感元，所述...
吴传贵吴勤勤罗文博帅垚李攀孙翔宇潘忻强白晓圆张万里
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一种高开关比阻变存储器及其制备方法
本发属于CMOS超大规模集成电路中的非挥发存储器的改性及其制造技术领域，具体涉及一种高开关比阻变存储器及其制备方法。该高开关比阻变存储器，自上而下依次包括顶电极、阻变材料层、底电极、粘接层、衬底。阻变材料层为三层同质结的...
罗文博张平帅垚潘忻强孙翔宇吴传贵朱俊张万里
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