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伤害性刺激、电针镇痛后大鼠中脑导水管周围灰质生长抑素mRNA的表达被引量：3: 1998年; 目的：研究生长抑素（ＳＯＭ）镇痛效果的作用机制。方法：用原位杂交结合计算机图像分析，观察正常大鼠中脑导水管周围灰质（ＰＡＧ）内ＳＯＭ神经元的基因表达；伤害性刺激、单纯针刺和电针镇痛（ＥＡ）对ＰＡＧ内ＳＯＭ多肽合成的调控，以探讨伤害性刺激和电针对ＰＡＧ内ＳＯＭ在基因转录水平的激活影响。结果：正常情况下ＰＡＧ内有一定的ＳＯＭｍＲＮＡ表达，伤害性刺激和单纯电针后ＳＯＭｍＲＮＡ表达增强，ＥＡ后进一步增强。结论：（１）ＳＯＭ可能参与痛觉调制；（２）ＳＯＭ可能参与ＥＡ。; 吴爱群方智慧朱君明楚宪襄王金兰范天生任朝胜; 关键词：生长抑素中脑导水管周围灰质电针伤害性刺激

生长抑素mRNA和前脑啡肽原mRAN在中缝大核的表达及其与针刺镇痛的关系: 为了探讨中缝大核(RM)生长抑素 mRNA 和前脑啡肽原 mRNA 在针刺镇痛中的作用及其相互关系,本文应用原位杂交组织化学方法,分别观察了大鼠中缝大核内生长抑素 mRNA 和前脑啡肽原 mRNA 在正常、痛刺激和电针镇...; 范天生楚宪襄朱君明周志刚方智慧雷留根; 文献传递

针刺后中缝大核生长抑素mRNA的表达及其与5-HT的共存被引量：3: 1997年; 为探讨中缝大核（nucleusraphesmagnus，RM）内生长抑素（sonatostatin,SOM）在针刺镇痛中的作用，本文用原位杂交组织化学方法（ISHH）和免疫细胞化学（IC）相结合的双重标记技术．观察了大鼠RM内SOMmRNA在正常、疼痛刺激、单纯电针刺激和电针镇痛下的变化特点。结果发现：典型SOMmRNA阳性细胞胞体及突起近端内合蓝紫色颗粒．胞核不着色呈空泡状。正常组RM内SOMmRNA阳性细胞数量少，形态多样，但多为校形、三角形，多分布于RM的双翼。大多数细胞显示出1～3个突起，细胞染色较淡。和正常组相比，疼痛组和单纯电针组RM内SOMmRNA阳性细胞明显增多，染色加深。经图像分析和统计学处理，阳性细胞个数和平均光密度变化均P＜0．01。在电针镇痛下，RM内SOMmRNA阳性细胞显得更为密集，且测得的阳性细胞个数和平均光密度与其他三组相比，在统计学上均有显著性差异（P＜0．01）。在正常情况下，RM内有少量的SOMmRNA与5—HT双标记细胞，在棕黄色的胞浆背底中有蓝紫色颗粒。与正常组相比，疼痛刺激组和单纯电针组双标细胞增多（P＜0．01），电针镇痛后更甚，与其他三组相比P＜0．01。以上结果提示：1．SOM可能参与痛觉调制。2．SOM可能参与电针镇痛。3．RM内SOMmRNA与5-HT共存，二者可能协同作用，共同参与电针镇痛?; 楚宪襄朱君明方智慧王金兰范天生; 关键词：生长抑素电针镇痛

伤害性刺激电针后中缝背核生长抑素mRNA的表达及其与5-HT的共存被引量：5: 1996年; 本实验用原住杂交和免疫组化ABC相结合的双标记技术，观察了大鼠中缝背核（RD）内生长抑素（SOM）fllRNA在正常、伤害性刺激、单纯电针和电针镇痛（EA）下的变化特点。结果发现RD正常情况下有一定SOMmRNA表达，伤害性刺激和单纯电针后SOMmRNANA表达增强，EA后进一步增强。在正常情况下RD内有少量的SOMmRNA与5－HT双标记细胞。与正常组相比，伤害性刺激和单纯针刺后双标细胞增多，EA后更甚。结果提示：（1）SOM可能参与痛觉调杯（2）SOM可能参与EA。（3）RD内SOMmRNA与SNT共存，二者可能协同作用，共同参与EA。; 方智慧吴爱群朱君明楚宪襄王金兰范天生; 关键词：中缝背核电针镇痛生长抑素

大鼠脊髓背角生长抑素mRNA在伤害性刺激和电针镇痛后的变化被引量：1: 1997年; 本文用地高辛标记cRNA探针原位杂交技术结合计算机回家分析，观察了在正常、伤害性刺激、单纯针刺和电针镇痛条件下大鼠脊髓背角内生长抑素mRNA的变化特点．结果如下：正常情况下脊髓背角内含有少量生长抑素mRNA阳性细胞，主要集中于Ⅱ、Ⅰ层．伤害性刺激，单纯针刺后背角生长抑素mRNA均明显增多，与其他三级相比，电针镇捕后背角生长抑索mRNA进一步增多，上述变化以Ⅱ层最为显著，且以同侧为甚。以上结果揭示生长抑素参与疼觉调制并且在针刺镇痛中起一定作用，其作用机制有待进一步研究．; 楚宪襄朱君明方智慧王金兰范天生; 关键词：脊髓背角生长抑素电针镇痛

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朱君明

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