朱海军
- 作品数：15 被引量：23H指数：3
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 用导纳谱研究锗量子点的能级结构
- 1998年
- 提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为338meV。Ge量子点获1个空穴所需要克服的库仑势能约为30meV。
- 张胜坤朱海军蒋最敏胡冬枝徐阿妹林峰陆昉
- 关键词：量子点锗能级结构
- SiGe/Si多重超晶格的声学声子光散射谱
- 1997年
- ＳｉＧｅ／Ｓｉ多重超晶格的声学声子光散射谱黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＬｉｇｈｔＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＡｃｏｕｓｔｉｃＰｈｏｎｏｎｓｉｎＭｕｌｔｉｐｌｅＳｉＧｅ／ＳｉＳｕｐｅｒｌａｔ...
- 黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏
- 关键词：超晶格声学声子
- 横向加速度传感器设计及特性研究被引量：4
- 1997年
- 一般微机械加工的梁──岛结构加速度传感器，梁的平面都是与器件平面平行的，因此只能测量器件平面法向的加速度分量．我们提出了一种制作梁平面与器件平面相垂直的梁──岛结构的微机械加工方法，并用以设计和制造了一种可测量平行于器件平面的加速度分量的横向加速度传感器，为研制三维加速度传感器提供了新思路．
- 朱海军陈宏鲍敏杭
- 关键词：横向加速度传感器
- 自组织生长的锗量子点及其光致发光特性被引量：8
- 1998年
- Si和Ge低维体系材料由于其优越的光电特性,已经广泛地受到人们的重视,尤其是零维体系(量子点).理论预言,量子点尺寸减少到几个纳米时,它的能带结构可以从间接带隙转变为准直接带隙,相应的辐射复合跃迁几率大大增加.制备Ge及GeSi量子点的方法有许多,例如,光刻法、选区外延生长、局域分子束外延生长以及自组织生长方法等,其中自组织生长是一种既简便又有效的方法.由于Ge与Si的晶格常数相差较大,Ge在Si上的生长属于S-K模式,即当Ge外延层厚度超过临界厚度(6 ML)时。
- 朱海军蒋最敏徐阿妹毛明春胡冬枝黄大鸣陆昉胡长武粕谷厚生
- 关键词：量子点光致发光自组织生长锗
- 近周期超晶格中的声学声子及其光散射特性被引量：5
- 1997年
- 利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出许多独特的性质．对有限周期数的超晶格，由于边界的存在，喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰（主峰）外，还会出现一系列等间距分布的卫星峰．对耦合超晶格体系，理想超晶格中存在的主峰将出现分裂．对层厚起伏变化的超晶格，主峰呈现非对称展宽，展宽主要出现在高波数端．计算结果和实验测得的谱线作了比较，特征是一致的．利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出许多独特的性质．对有限周期数的超晶格，由于边界的存在，喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰（主峰）外，还会出现一系列等间距分布的卫星峰．对耦合超晶格体系，理想超晶格中存在的主峰将出现分裂．对层厚起伏变化的超晶格，主峰呈现非对称展宽，展宽主要出现在高波数端．计算结果和实验?
- 刘晓晗黄大鸣王兴军张春红朱海军蒋最敏王迅
- 关键词：声学声子光散射半导体
- Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究
- 1997年
- 本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性．
- 徐阿妹朱海军毛明春蒋最敏卢学坤胡际璜张翔九
- 关键词：半导体砷化镓硅
- Si中Ge量子点的光致发光被引量：2
- 1997年
- 生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之间的互扩散．
- 胡冬枝朱海军蒋最敏黄大鸣张翔九王迅
- 关键词：硅锗量子点光致发光
- 采用电化学自终止腐蚀制造硅传声器
- 1996年
- 简述了单晶硅压阻式传声器的结构参数设计和工艺制造技术，采用ｐｎ结自终止电化学腐蚀技术获得薄且平整性较好的振膜。测试结果表明：１ｋＨｚ时灵敏度为－５８．４ｄＢ／Ｐａ。
- 朱海军
- 关键词：振膜声传感器
- 硅中δ掺杂材料的表征
- 1997年
- 利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个原子面内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念，测量了ｐ型Ｂδ掺杂材料的深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ），得到δ掺杂量子阱的子能级位置。
- 蒋最敏朱海军朱建红毛明春徐阿妹胡冬枝张翔九王迅
- 关键词：硅Δ掺杂
- 硅中δ掺杂材料的表征
- 利用低温生长技术抑制 Sb 偏析,实现了 Sb 的δ掺杂。同步辐射 X 射线反射率测量表明 Sb 被限制在很窄的范围,约2个原子面内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念,测量了 p 型 B δ掺杂材料的深能级瞬态谱（D...
- 蒋最敏朱海军朱建红毛明春徐阿妹胡冬枝张翔九王迅
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