胡冬枝
- 作品数：18 被引量：24H指数：4
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用导纳谱研究锗量子点的能级结构
- 1998年
- 提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为338meV。Ge量子点获1个空穴所需要克服的库仑势能约为30meV。
- 张胜坤朱海军蒋最敏胡冬枝徐阿妹林峰陆昉
- 关键词：量子点锗能级结构
- 自组织生长的锗量子点及其光致发光特性被引量：8
- 1998年
- Si和Ge低维体系材料由于其优越的光电特性,已经广泛地受到人们的重视,尤其是零维体系(量子点).理论预言,量子点尺寸减少到几个纳米时,它的能带结构可以从间接带隙转变为准直接带隙,相应的辐射复合跃迁几率大大增加.制备Ge及GeSi量子点的方法有许多,例如,光刻法、选区外延生长、局域分子束外延生长以及自组织生长方法等,其中自组织生长是一种既简便又有效的方法.由于Ge与Si的晶格常数相差较大,Ge在Si上的生长属于S-K模式,即当Ge外延层厚度超过临界厚度(6 ML)时。
- 朱海军蒋最敏徐阿妹毛明春胡冬枝黄大鸣陆昉胡长武粕谷厚生
- 关键词：量子点光致发光自组织生长锗
- 退火过程中自组织生长 Ge量子点的变化(英文)被引量：1
- 2002年
- 在超高真空系统中 ,用扫描隧道显微镜 (STM)和原子力显微镜 (AFM)研究了自组织生长的 Ge量子点经不同温度退火后的变化 .实验发现 ,当退火温度为 6 30℃时 ,出现了许多新的量子点 .与原来的在分子束外延过程中形成的无失配位错的量子点相比 。
- 胡冬枝杨建树蔡群张翔九胡际璜蒋最敏
- 关键词：量子点硅基材料AFM原子力显微镜退火
- 硅中δ掺杂材料的表征
- 1997年
- 利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个原子面内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念，测量了ｐ型Ｂδ掺杂材料的深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ），得到δ掺杂量子阱的子能级位置。
- 蒋最敏朱海军朱建红毛明春徐阿妹胡冬枝张翔九王迅
- 关键词：硅Δ掺杂
- Si(001)斜切衬底片上Ge量子点的固相外延生长
- 本文研究了Si(001)6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长,同时对Si(001)斜切衬底片上固相外延Ge最子点的稳定性进行了研究.
- 胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏
- 关键词：固相外延生长GE量子点SI衬底稳定性
- 文献传递
- GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制被引量：2
- 2000年
- 基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为 40 m A和 0 .97k A/ cm2 。
- 李宝军万建军李国正刘恩科胡冬枝裴成文秦捷蒋最敏王迅
- 关键词：调制器干涉型
- 量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响
- 2002年
- 在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是纯Ge量子点 .
- 周星飞施斌胡冬枝樊永良龚大卫蒋最敏
- 关键词：量子点分子束外延硅衬底喇曼光谱
- Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱被引量：5
- 2000年
- 利用喇曼光谱研究了不同温度下在 Si(1 0 0 )衬底上异质外延 Ge层由于扩散引起的 Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂 Sb对其的影响 .结果表明表面活化剂 Sb的存在大大抑制了界面的互扩散 ,在 650℃下也没有观察到明显的界面互混 .没有 Sb时 ,在 50 0℃下已存在一定程度的界面互混 ,界面互混程度随外延层生长温度的增高而增强 .
- 蒋伟荣周星飞施斌胡冬枝刘晓晗蒋最敏张翔九
- 关键词：互扩散硅锗喇曼光谱
- Si中Ge量子点的光致发光被引量：2
- 1997年
- 生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之间的互扩散．
- 胡冬枝朱海军蒋最敏黄大鸣张翔九王迅
- 关键词：硅锗量子点光致发光
- Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长被引量：4
- 2002年
- 研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长的临界厚度 ,6°斜切衬底上淀积 0 .7nm Ge即可成岛 ,少于 Si(0 0 1)衬底片上 Ge成岛所需的淀积量 .从 Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线 ,得到 Ge量子点的激活能为 1.9e V,远高于 Si(111)面上固相外延 Ge量子点的激活能 0 .3e V.实验亦发现 ,在 Si(0 0 1)斜切衬底上固相外延生长的 Ge量子点较 Si(0 0 1)
- 胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏
- 关键词：量子点固相外延锗
