杨洋
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
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- 氧等离子体处理对薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT的影响
- 2015年
- 提出了一种利用薄势垒结构制造增强型AlGaN/GaN HEMT的方法。研究了SiN钝化对薄势垒AlGaN/GaN异质结的影响,并利用其控制沟道中的二维电子气密度。具有10nm SiN介质插入层欧姆接触在800℃下退火可以得到较好的接触性能。栅极区域中的SiN被刻蚀,以耗尽下面的二维电子气,从而使薄势垒AlGaN/GaN HEMT实现增强特性,其阈值电压为50 mV。对介质刻蚀后暴露的AlGaN表面进行氧等离子体处理,与未经处理的器件作对比,发现阈值电压提升到0.5V,栅漏电降低了一个数量级,击穿特性得到改善,但是最大饱和电流密度降低了。
- 王哲力周建军孔月婵孔岑董逊杨洋陈堂胜
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管增强型氧等离子体处理
- GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验被引量：4
- 2015年
- 分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉冲射频加速寿命试验,评估其射频工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率小于1.02×10-7/h。
- 杨洋徐波贾东铭蒋浩姚实陈堂胜钱峰
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管微波功率管加速寿命试验
- 砷化镓PHEMT功率管高温加速寿命试验研究
- 2014年
- 通过解决温度提升、温度稳定控制、寄生振荡抑制等关键问题,使砷化镓PHEMT功率器件的高温加速寿命试验得以实施。经过2 832h试验,三个分组的样品均出现了失效。对样品的失效模式与机理进行了分析,并确定了失效原因。对试验数据进行分析得到了该器件的寿命分布与寿命加速特性,并对分析结论进行了验证。
- 贾东铭杨洋林罡金毓铨
- 关键词：砷化镓微波功率管
- 基于故障树分析法的GaAs MMIC烧毁失效分析被引量：4
- 2015年
- 用故障树分析法对一款高温工作寿命试验过程中烧毁的Ga As功率单片集成电路(MMIC)进行失效分析。故障样品呈现为有源区烧毁,判定由电流过大或过热引起。故障树的顶事件为Ga As功放芯片烧毁,次级因素分为设计缺陷、内部因素及外围因素三个方面。然后列举导致过热或电流过大的情况并建立故障树,通过对故障树中的末级故障逐一排查后,最终定位其烧毁是由栅金属下沉引起。这种故障模式主要出现在长期高温情况下,一般在正常使用过程中不会出现。
- 杨洋贾东铭林罡钱峰
- 关键词：故障树砷化镓
