贾东铭
- 作品数：9 被引量：22H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 金属陶瓷封装器件安装中典型失效及注意事项被引量：1
- 2010年
- 文章对金属陶瓷封装器件安装使用中与封装有关的三种典型失效模式进行了分析。安装使用中过多的热积累导致壳体引脚脱落;安装区域线胀系数差异过大造成的额外应力,导致壳体引脚拉断;安装位置不平整或受挤压,致使壳体内部芯片、陶瓷电路片开裂。并且根据这三种失效机理提出了金属陶瓷封装器件安装使用中的相关注意事项,对提高金属陶瓷封装器件的使用可靠性具有一定的参考价值。
- 于剑贾东铭徐波
- 关键词：失效模式
- SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响被引量：1
- 2018年
- 对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大器芯片在氢气氛围中的可靠工作寿命,这对于该类器件在组件中的实际应用具有重要意义。
- 贾东铭张磊彭龙新林罡林罡
- 关键词：砷化镓加速寿命试验
- 基于红外微波MMIC芯片脉冲工作下瞬态热特性研究
- 2020年
- 对微波MMIC芯片瞬态热特性测试进行了归纳和分析,借鉴传统热特性分析的数学处理方式,根据红外测试中施加周期脉冲的实际情况,结合周期脉冲热特性数学解析,对红外测试采集的升温过程数据进行处理,得到MMIC芯片热特性参数,并对红外实测瞬态温度变化和拟合数值进行了实际验证。与传统电学法和红外法热阻测试相比,本文分析了MMIC芯片实际射频工作脉冲状态下瞬态温升幅度、分布等数据,还得到了MMIC芯片的热特性参数和底部温度。
- 贾东铭王朝旭
- 关键词：热特性电学法红外法
- GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验被引量：4
- 2015年
- 分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉冲射频加速寿命试验,评估其射频工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率小于1.02×10-7/h。
- 杨洋徐波贾东铭蒋浩姚实陈堂胜钱峰
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管微波功率管加速寿命试验
- 砷化镓PHEMT功率管高温加速寿命试验研究
- 2014年
- 通过解决温度提升、温度稳定控制、寄生振荡抑制等关键问题,使砷化镓PHEMT功率器件的高温加速寿命试验得以实施。经过2 832h试验,三个分组的样品均出现了失效。对样品的失效模式与机理进行了分析,并确定了失效原因。对试验数据进行分析得到了该器件的寿命分布与寿命加速特性,并对分析结论进行了验证。
- 贾东铭杨洋林罡金毓铨
- 关键词：砷化镓微波功率管
- MMIC高温工作加速寿命试验失效机理分析被引量：6
- 2012年
- 采用恒定功耗高温加速的试验方法,搭建了相关的试验系统,对高温工作寿命试验(HTOL)方法在功率GaAs MMIC领域的应用进行了一些探索。试验获得了对失效机理进行分析所需的失效数,所有样品的失效都是由同一原因引起的。通过监测数据和失效样品的分析,发现存在欧姆接触退化与栅金属下沉两种失效机理,但最终引起失效的机理单一,为栅金属下沉。
- 林罡贾东铭耿涛黄念宁徐波薛静高建峰金毓铨
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管
- EMMI故障定位和基于故障树的GaAs MMIC失效分析被引量：4
- 2017年
- 首先通过故障树的方式,分析了某6位数控衰减器衰减态翻转速度异常的失效模式和失效机理。把故障树的顶事件2dB衰减态翻转速度异常分为开关管ESD损伤、驱动信号异常、衰减电阻异常、控制端电阻异常4个子事件,经过分析得出翻转速度异常最大可能是由于控制端电阻过大引发RC延迟现象,进而导致关断或开启延迟故障。然后通过微光显微镜和激光感应阻抗变化率对故障件进行故障定位确定了故障点,为分析结果提供了依据。
- 王创国贾洁周舟沈宏昌贾东铭林罡
- 关键词：故障树
- 基于故障树分析法的GaAs MMIC烧毁失效分析被引量：4
- 2015年
- 用故障树分析法对一款高温工作寿命试验过程中烧毁的Ga As功率单片集成电路(MMIC)进行失效分析。故障样品呈现为有源区烧毁,判定由电流过大或过热引起。故障树的顶事件为Ga As功放芯片烧毁,次级因素分为设计缺陷、内部因素及外围因素三个方面。然后列举导致过热或电流过大的情况并建立故障树,通过对故障树中的末级故障逐一排查后,最终定位其烧毁是由栅金属下沉引起。这种故障模式主要出现在长期高温情况下,一般在正常使用过程中不会出现。
- 杨洋贾东铭林罡钱峰
- 关键词：故障树砷化镓
- 基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法及案例被引量：3
- 2017年
- 介绍了基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法,并以一款24位串转并驱动器芯片输出端电平不能翻转的失效模式为案例,通过该方法找到了芯片互联层之间短路的故障。从该案例可以看出,基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法具有定位精确、高效快速的优点,可以为提升GaAs数字电路可靠性提供有力的技术支持,值得广泛应用。
- 郭啸王创国邹文静张磊林罡贾东铭
- 关键词：数字电路砷化镓
