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杨鑫

作品数：35 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 4篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 18篇纵向电场
  • 15篇异质结
  • 15篇半导体
  • 11篇导体
  • 9篇带隙
  • 9篇宽带隙
  • 9篇宽带隙半导体
  • 9篇宽带隙半导体...
  • 9篇半导体材料
  • 8篇硅材料
  • 8篇场效应
  • 8篇场效应管
  • 7篇击穿电压
  • 6篇电场
  • 6篇碳化硅
  • 6篇强电
  • 6篇强电场
  • 6篇禁带
  • 6篇宽禁带
  • 4篇氮化镓

机构

  • 35篇西安电子科技...

作者

  • 35篇杨鑫
  • 28篇杨银堂
  • 28篇段宝兴
  • 4篇曹震
  • 4篇吕建梅
  • 2篇赵俊
  • 2篇陈光达
  • 2篇李维超
  • 2篇王昆
  • 2篇刘朝曦
  • 1篇魏兵
  • 1篇尹伟科

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 5篇2021
  • 6篇2020
  • 8篇2019
  • 10篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2012
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
非均匀等离子体电磁计算及其应用研究
空天情形下信号传输主要由无线电承担，这种通讯环境有时会伴有非均匀色散介质的存在，如卫星羽流、火箭尾焰及飞行器鞘套等。因物质的固有属性，它们将使电波表现出异于常规物质如空气中的传播行为，势必影响通信质量，甚至威胁实体安全。...
杨鑫
关键词：非均匀等离子体电磁计算时域有限差分
具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明提出了一种具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其制作方法，该异质结IGBT器件主要是将宽带隙材料与硅材料相结合形成异质结，先在宽带隙半导体材料P+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较高...
段宝兴孙李诚吕建梅杨鑫杨银堂
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高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种高K介质(High‑K Dielectric Pillar，HK)沟槽横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管(SJ‑LDMOS)及其制作方法。该器件主要是在SJ‑LDMOS器件的漏端区域形成具有深沟...
段宝兴曹震师通通杨鑫杨银堂
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具有部分宽禁带材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法
本发明提出了一种具有部分宽禁带材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法，该IGBT器件主要是在宽禁带材料P+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较低的N型宽禁带外延层，对N型宽禁带外延层进行部分刻蚀与P+型衬底整体形成凸字型结构...
段宝兴杨鑫王夏萌孙李诚张一攀杨银堂
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具有电荷补偿块的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种具有电荷补偿块的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)及其制作方法。该器件在N+型碳化硅半导体衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型碳化硅外延层，在VDMOS器件的N型碳化硅漂移区中再形成多层P型...
段宝兴杨鑫孙李诚王彦东杨银堂
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基于集成鉴相器AD8302的高精度相位检测电路及其自校准方法
本发明公开了一种基于集成鉴相器AD8302的高精度相位检测电路及其自校准方法，其中，该相位检测电路包括：集成鉴相器AD8302，集成鉴相器AD8302的输入端连接有两路信号输入通道，其中任意一路信号输入通道上安装有两个可...
陈光达刘朝曦赵俊孟娟王昆李维超杨鑫
具有电荷补偿层和低阻通道的VDMOS及其制作方法
本发明提出了一种具有电荷补偿层和低阻通道的VDMOS及其制作方法，该器件设置N+电流通道，纵向贯穿N型外延层的对称中心，上、下两端分别与栅氧化层、N+型衬底相接；并在N型外延层内部、两处P型基区的下方区域分别设置有相同半...
段宝兴王彦东杨鑫杨银堂
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具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该LDMOS器件的主要是将碳化硅材料与硅材料结合，在碳化硅衬底上通过异质外延技术或键合技术形成硅外延层，并采用深漏区结构，漏区...
段宝兴黄芸佳王彦东杨鑫孙李诚杨银堂
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具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的U-MOSFET及其制作方法
本发明提出了一种具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的U‑MOSFET及其制作方法。该U‑MOSFET器件主要特点是将氮化镓材料与硅材料相结合形成异质结，以氮化镓衬底和N型氮化镓外延层整体的凸字型结构表面为基础形成N型硅外...
段宝兴杨鑫王夏萌张一攀杨银堂
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基于蓝牙的移动终端与PC机信息交互研究与实现
手机已经成为人们生活中不可缺少的一部分，如何保存手机中重要的联系人和短信等信息也变得愈发重要。在这种需求下，各大手机生产厂商陆续推出各自的PC套件产品。但是，大多数产品都使用USB线连接手机，存在连接不便、功能单一的弱点...
杨鑫
关键词：蓝牙信息交互软件工程移动终端
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