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欧海燕

作品数:13 被引量:59H指数:6
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇阵列
  • 8篇波导
  • 7篇导光
  • 7篇阵列波导
  • 7篇阵列波导光栅
  • 7篇光栅
  • 7篇波导光栅
  • 6篇复用
  • 4篇波分
  • 4篇波分复用
  • 3篇氧化硅
  • 3篇解复用
  • 3篇解复用器
  • 3篇二氧化硅
  • 3篇复用器
  • 2篇乳胶
  • 2篇射程
  • 2篇氢离子
  • 2篇离子
  • 2篇基片

机构

  • 13篇中国科学院
  • 3篇国家光电子工...

作者

  • 13篇欧海燕
  • 11篇杨沁清
  • 10篇王启明
  • 9篇雷红兵
  • 8篇胡雄伟
  • 6篇余金中
  • 6篇王红杰
  • 2篇李成
  • 1篇王启明

传媒

  • 5篇Journa...
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇展望21世纪...

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 8篇2000
  • 2篇1999
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅基二氧化硅AWG波分复用/解复用器的研究
论文介绍了阵列波导光栅(AWG)型波长复用/解复用器的工作原理、特性和系统对它的 要求.对器件进行了建模,并在此模型的基础上,对相对折射率差为0.75i的1×8AWG器件结构和工艺参数进行了设计和优化.提出了常规型和改进...
欧海燕
关键词:阵列波导光栅工艺参数
阵列波导光栅解复用器输入/输出波导结构串扰的数值分析被引量:7
1999年
本论文采用Marcatili方法分析矩形波导的模场特性,在此基础上计算了AWG波分复用/解复用器串扰与输入/输出波导间隙参数(dr/w),波导结构参数V的变化关系.计算了串扰值一定时,选取V参数与dr/w的关系曲线.分析了在不同折射率差波导中,串扰与偏振的相关性,为器件的整体优化设计提供了参考数据.
雷红兵欧海燕胡雄伟杨沁清余金中王启明
关键词:平面波导阵列波导光栅串扰
硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析被引量:6
2001年
从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响 ,得出结论 :小折射率差的正方形波导的双折射系数小 ;内应力对双折射的影响比几何参数大 ;弯曲半径较小时 ,双折射系数较大 ,弯曲损耗也较大。
欧海燕雷红兵杨沁清王红杰王启明胡雄伟
关键词:偏振
阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析被引量:12
2000年
阵列波导光栅复用 /解复用器中波导光栅孔径是器件重要的结构参数 .波导光栅孔径数值有限 ,部分光场将因未被耦合进而损失掉 .同时引起输出波导接收端焦场变形 ,增加了器件串扰 .本文详细分析和计算了由于波导光栅孔径有限引起的光场损耗和信号串扰 ,选择适当孔径参数可使其引入的信号损耗和串扰降到足够低 。
雷红兵欧海燕杨沁清胡雄伟余金中王启明
关键词:阵列波导光栅
平面阵列光学波导模式特性及其光强传输分析被引量:4
2000年
分析了平面阵列波导的模式特性 .其导波模式为周期性调幅的平面波 ( Bloch波 ) .阵列波导输入 /输出波导结构是影响其传输特性的重要因素 .采用扇形过渡波导结构以提高阵列波导输入 /输出端口芯区宽度与波导周期宽度的比值 ,可降低阵列波导光强的传递损耗 .并可改善布里渊区入射 /出射波的损耗非均匀性 .采用低折射率差的波导芯区 /包层结构可降低波导对光波的限制 。
雷红兵欧海燕杨沁清胡雄伟余金中王启明
关键词:光学波导平面阵列
一种制备半导体衬底的方法
一种制备半导体衬底的方法,其是在一抛光的硅片内注入氢离子,在另一基片上生长二氧化硅/硅布拉格反射镜或单层二氧化硅;将硅片和基片表面涂布一层硅基乳胶,将它们粘接在一起;在400~600℃氮气氛下退火5-60分钟,硅片上较厚...
杨沁清李成欧海燕王红杰王启明
文献传递
平面阵列波导光栅及其在WDM系统中的应用前景被引量:3
2000年
简述了阵列被导光栅复用/解复用器件的基本原理及其相关特性,并对其在WDM光通信关键器件中的应用作了概述.
雷红兵欧海燕王红杰胡雄伟杨沁清王启明
关键词:阵列波导光栅波分复用平面光波导
掺铒硅光致发光激子传递能量机制被引量:5
2000年
铒离子在硅中呈现弱施主特性 ,O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级 .氧杂质与铒离子形成复合体 ,其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道 .提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型 ,建立了发光动力学速率方程 ,并进行了详细推导 .发光效率与光激活铒离子浓度、激发态寿命及自发辐射寿命等因素有关 .指出铒离子 -束缚激子复合体的热离化和激发态铒离子能量反向传递是引起铒离子发光温度猝灭的主要原因 .拟合 PL测量实验结果表明 :它们对应的激活能分别为 6.6me V和 47.4me V.
雷红兵杨沁清欧海燕余金中王启明
关键词:光致发光
用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析被引量:13
2000年
用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2
欧海燕杨沁清雷红兵王红杰余金中王启明胡雄伟
关键词:氧化多孔硅
平面阵列波导光栅及其在WDM系统中的应用前景
该文简述了阵列波导光栅复用/解复用器件的基本原理及其相关特性,并对其在WDM光通信关键器件中的应用作了概述。
雷红兵欧海燕王红杰
关键词:波分复用技术阵列波导光栅光纤光栅
文献传递
共2页<12>
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