毕振兴
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：天津大学更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- Freescale单片机MC68HC908GR8系列测试并行度提升
- Freescale半导体公司是美国最大的半导体制造商之一，以生产优质半导体产品而闻名于世。她的产品种类多达几万种，其中主要的一项产品就是单片机(Micro Controller Unit)。Freescale单片机具有性...
- 毕振兴
- 关键词：半导体产品智能控制并行度
- 文献传递
- 射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究被引量：3
- 2005年
- 在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料。
- 毕振兴张之圣胡明樊攀峰刘志刚
- 关键词：射频磁控溅射钙钛矿相电滞回线PZT铁电薄膜溅射制备
- LSMCD法制备梯度BST铁电薄膜的工艺研究被引量：1
- 2007年
- 研究了利用液态源雾化化学沉积(LSMCD)法制备梯度钛酸锶钡(BST)薄膜的工艺。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明:沉积8次,采用常规退火方式,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上能成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约80 nm、厚约850 nm的梯度BST薄膜。该BST梯度薄膜在常温下介电常数达526,介电损耗约为0.06,矫顽场强约为100 kV/cm,剩余极化强度约为10μC/cm2,饱和极化强度约为20μC/cm2,在各个领域都具有广阔的应用前景。
- 白天张之圣王秀宇毕振兴
- 关键词：钛酸锶钡梯度薄膜钙钛矿相
- 射频磁控溅射法分别制备PZT和BST铁电薄膜的分析与比较
- 应用射频磁控溅射方法,利用快速热退火(RTA)工艺,分别制备出了具有良好铁电性能的 Pb(Zr0.52Ti0.48)O3和(Ba0．7Sr0．3)TiO3铁电薄膜。对两种铁电薄膜的厚度、XRD图谱、SEM图像和电滞回线进...
- 毕振兴张之圣胡明
- 关键词：射频磁控溅射锆钛酸铅钛酸锶钡钙钛矿相
- 文献传递
- 射频磁控溅射法制备BST铁电薄膜的工艺研究
- 应用射频磁控溅射方法，利用快速热退火（RTA）工艺，制备出了具有良好铁电性能的(Ba0.7Sr0.3)TiO3（BST) 铁电薄膜。通过对BST 铁电薄膜的厚度、XRD 图谱、SEM 图像和电滞回线进行分析，优化了制备B...
- 毕振兴张之圣胡明
- 关键词：钙钛矿相快速热退火铁电薄膜极化强度
- 文献传递
