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肖承全

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电气工程理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇单晶
  • 11篇电池
  • 7篇太阳能电池
  • 6篇N型
  • 6篇掺杂
  • 5篇太阳能
  • 5篇晶体
  • 5篇磷
  • 5篇硼
  • 4篇单晶硅
  • 4篇太阳电池
  • 4篇铸造法
  • 4篇硅单晶
  • 3篇单晶体
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇性能研究
  • 3篇籽晶
  • 3篇坩埚
  • 3篇内壁

机构

  • 18篇浙江大学

作者

  • 18篇肖承全
  • 17篇杨德仁
  • 17篇余学功
  • 1篇王蓉
  • 1篇王栋

传媒

  • 1篇第13届中国...
  • 1篇中国晶体学会...

年份

  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 7篇2012
  • 4篇2011
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法
本发明公开了一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法，包括：将中心开孔的石英片铺在坩埚底部；其中石英片为梯形体结构，石英片的两平行底面中面积较小的底面与所述坩埚底部接触；先将单晶硅块填入所述石英片的开孔位置，再依次放入多晶硅原料和...
余学功肖承全杨德仁
文献传递
一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法
本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的...
余学功肖承全杨德仁
文献传递
一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片
本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构...
杨德仁肖承全余学功
文献传递
一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法
本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用铸造法生长硅多晶体。本发明可以将90％左右高度的N型磷掺杂多晶硅铸锭的电阻率控制在1.0-2.0...
余学功肖承全杨德仁
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硼磷补偿晶体硅的基本性质及其光伏应用研究
太阳能光伏发电是一种非常重要的可再生能源。晶体硅太阳电池作为目前光伏市场的主要产品，占据了90％以上的份额，并在今后很长一段时间内仍将占据主导地位。因此，降低晶体硅太阳电池成本是产业界和学术界一直追求的主要目标之一。使用...
肖承全
关键词：晶体硅太阳电池补偿度光衰减
一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片
本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构...
杨德仁肖承全余学功
硼磷补偿晶体硅的性能及其光伏应用
冶金法提纯硅(UMG-Si)往往含有高浓度的硼和磷,本文采用直拉法生长了两根硼磷不同浓度掺杂补偿的硅单晶体,并通过二次离子质谱法(SIMS)和微波光电导衰减法(MW-PCD)测试不同硅晶体位置的硼磷浓度,为生产高性能太阳...
肖承全余学功杨德仁
关键词：晶体硅化学成分
一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法
本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用铸造法生长硅多晶体。本发明可以将90％左右高度的N型磷掺杂多晶硅铸锭的电阻率控制在1.0-2.0...
余学功肖承全杨德仁
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一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚
本发明公开了一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚，坩埚的底部的外壁为方形结构，坩埚的底部内壁为倒金字塔结构。本发明的坩埚有利于硅熔体在初始形核阶段形成尽可能少的晶核，并有效改善坩埚内部的热场，生长出高质量的大晶粒的铸造多晶...
余学功肖承全杨德仁
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一种硅片外吸杂方法
本发明公开了一种硅片外吸杂方法，包括以下步骤：将铟源涂布在硅片表面，在氧气气氛下，将硅片放入常规热处理炉或快速热处理炉中保温一段时间，冷却至室温，在氢氟酸中浸泡以去除表面玻璃层；其中，所述的保温温度为700℃-1000℃...
余学功肖承全杨德仁
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