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贺晓彬

作品数：99 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 98篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 22篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 41篇光刻
  • 31篇刻蚀
  • 20篇半导体
  • 18篇光刻胶
  • 17篇电子束曝光
  • 15篇电子束
  • 15篇掩模
  • 14篇线条
  • 11篇显影
  • 10篇电子束光刻
  • 10篇光刻工艺
  • 10篇衬底
  • 10篇粗糙度
  • 8篇电子设备
  • 8篇掩膜
  • 8篇晶圆
  • 7篇涂胶
  • 7篇平坦化
  • 7篇金属栅
  • 6篇退火

机构

  • 99篇中国科学院微...

作者

  • 99篇贺晓彬
  • 82篇李俊峰
  • 58篇杨涛
  • 51篇刘金彪
  • 32篇罗军
  • 20篇唐波
  • 16篇孟令款
  • 15篇李春龙
  • 13篇赵超
  • 13篇高建峰
  • 13篇李俊杰
  • 12篇殷华湘
  • 11篇张青竹
  • 9篇闫江
  • 9篇王晓磊
  • 9篇王文武
  • 7篇项金娟
  • 5篇丁明正
  • 4篇许高博
  • 4篇陈大鹏

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 21篇2024
  • 14篇2023
  • 11篇2022
  • 10篇2021
  • 8篇2020
  • 1篇2019
  • 8篇2018
  • 3篇2017
  • 8篇2016
  • 1篇2015
  • 10篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 99 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于获取最佳曝光剂量的设计版图的优化方法及电子束曝光方法
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于获取最佳曝光剂量的设计版图的优化方法及电子束曝光方法，包括以下步骤：将设计版图分割成若干个曝光单元；在至少一个曝光单元内形成多组图形；在至少一组图形内形成多种不同尺寸的线条。本发...
贺晓彬张青竹李亭亭张兆浩李博刘金彪李俊峰杨涛
一种电子束曝光机、调焦方法及装置
本发明公开了一种电子束曝光机、调焦方法及装置，通过增设光学聚焦测试装置，将探测光照射到所述待曝光样品的当前曝光单元内，并采集所述当前曝光单元对应的反射光图像，然后基于当前曝光单元对应的反射光图像，得到当前曝光单元的位置信...
贺晓彬李亭亭唐波刘金彪李俊峰杨涛
一种降低暗电流的氧化层制备方法及复合结构
本发明公开了一种降低暗电流的氧化层制备方法及复合结构，属于暗电流技术领域，解决了现有技术中氧化层质量较差、暗电流较大、生产时间较长、成本较高的问题。氧化层制备方法包括如下步骤：对硅衬底进行清洗以及去除自然氧化层；采用氧化...
李亭亭贺晓彬项金娟王晓磊李俊峰
一种锗的化学机械抛光方法
本发明提供了一种锗的化学机械抛光方法，该方法包括以下步骤：a.提供待抛光的晶圆，该晶圆具有生长完成的锗沟槽，锗沟槽之间为测量隔离区；b.确认锗沟槽与测量隔离区齐平的最低图形密度ρ；c.在晶圆上图形密度小于等于ρ的锗沟槽上...
杨涛刘金彪贺晓彬李俊峰赵超
文献传递
一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备
本发明公开一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备，涉及半导体纳米加工技术领域。所述用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层中的第一版图进行电子束曝光；在所述第...
贺晓彬李亭亭刘金彪唐波杨涛李俊峰
纳米尺度深孔的制备方法及纳米器件
本申请涉及沉积工艺技术领域，提出了一种纳米尺度深孔的制备方法及纳米器件，其中，方法包括：在衬底表面沉积预设厚度的第一氧化硅层；对所述第一氧化硅层进行曝光，形成预设尺寸的接触孔；在所述第一氧化硅层和接触孔的表面，沉积SIN...
刘金彪罗军李俊峰贺晓彬杨涛
一种电子束曝光机、调焦方法及装置
本发明公开了一种电子束曝光机、调焦方法及装置，通过增设光学聚焦测试装置，将探测光照射到所述待曝光样品的当前曝光单元内，并采集所述当前曝光单元对应的反射光图像，然后基于当前曝光单元对应的反射光图像，得到当前曝光单元的位置信...
贺晓彬李亭亭唐波刘金彪李俊峰杨涛
文献传递
电子束光刻方法
本发明公开了一种电子束光刻方法，包括：在结构材料层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束光刻胶；采用电子束曝光系统，对电子束光刻胶进行曝光，其中通过增加曝光剂量来提高电子束光刻胶的抗刻蚀性；采用显影液对曝光后的电子束光刻...
贺晓彬孟令款丁明正刘艳松
文献传递
一种窄沟槽二次成像方法
本发明提供了一种窄沟槽二次成像方法。本发明的窄沟槽二次成像方法，包括如下步骤：S1：在衬底的氮化硅层上生长第一氧化硅层，光刻、刻蚀，形成第一宽沟槽图形；S2：继续生长第一氧化硅层，刻蚀氮化硅层上生长的氧化硅，形成第一窄沟...
贺晓彬李亭亭刘金彪韩江浩罗军李俊峰杨涛
感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件
本发明涉及一种感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件。调节感光半导体结构的感光波段的方法，包括：所述感光半导体结构包括衬底和感光层；向所述感光层进行处理a或处理b中的至少一种，其中：处理a：退火处理，退火温度...
李亭亭项金娟张青竹王晓磊贺晓彬唐波殷华湘李俊峰
文献传递
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