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郑永梅

作品数：37 被引量：23H指数：2
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇中文期刊文章

领域

  • 28篇理学
  • 12篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 17篇异质结
  • 17篇半导体
  • 9篇平均键能
  • 9篇键能
  • 6篇应变层
  • 6篇X
  • 5篇合金
  • 4篇形变势
  • 4篇光学
  • 4篇费米能级
  • 4篇ALN
  • 4篇GAN
  • 3篇氮化镓
  • 3篇三元合金
  • 3篇砷化镓
  • 3篇晶格
  • 3篇XGA
  • 3篇GAAS
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝

机构

  • 37篇厦门大学

作者

  • 37篇郑永梅
  • 34篇王仁智
  • 14篇蔡淑惠
  • 13篇何国敏
  • 9篇郑金成
  • 9篇李书平
  • 4篇黄美纯
  • 3篇吴孙桃
  • 2篇廖任远
  • 2篇柯三黄
  • 2篇刘宝林
  • 1篇朱梓忠
  • 1篇吴正云

传媒

  • 13篇厦门大学学报...
  • 5篇物理学报
  • 5篇固体电子学研...
  • 3篇Journa...
  • 3篇发光学报
  • 2篇科学通报
  • 2篇计算物理
  • 2篇半导体光电
  • 1篇自然杂志
  • 1篇量子电子学

年份

  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 3篇2000
  • 4篇1999
  • 7篇1998
  • 4篇1997
  • 7篇1996
  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1990
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ge、Si的形变势及其应变层异质结的带阶
1998年
采用从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对Ｇｅ、Ｓｉ能带结构、平均键能和带阶参数的影响．计算了相应的形变势，并利用形变势的研究结果，采用平均键能方法计算了Ｇｅ／Ｓｉ应变层异质结在不同生长厚度ｈ（或平行晶格常数ａ∥）情况下的价带带阶和导带带阶．
李书平王仁智郑永梅蔡淑惠
关键词：异质结形变势锗硅
电场下应变层量子阱AlN/GaN(001)的子带结构
1998年
采用有效质量理论６带模型，研究了电场下应变层量子阱ＡｌＮ／ＧａＮ（００１）的价带子能带结构．具体计算了价带子能级的色散曲线，分析了电场和应变效应对子能带的影响．还计算了不同电场和不同阱宽的空穴子能级．
何国敏王仁智郑永梅
关键词：半导体电场
三元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带带阶ΔE_v值研究被引量：2
1996年
三元合金异质结是异质结器件的重要材料,它广泛应用于微波和光电器件中。如组分x=0.3的合金异质结可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMTs)、绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)和谐振隧道二极管(RTDs);组分x=0.53的三元合金异质结广泛应用于光电子的高速光电器件中。在决定量子阱、超晶格电子态的因素中,半导体异质结界面两侧价带带阶△E_v值(即valence-band offsets)
郑金成郑永梅王仁智
关键词：异质结平均键能三元合金
应变层超晶格GaN-AlN的电子结构被引量：2
1999年
采用有效质量理论６带模型，计算了应变层超晶格ＧａＮＡｌＮ（００１）的电子结构，具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态以及重轻空穴和自旋轨道分裂带相互作用对子带结构的影响。
何国敏王仁智郑永梅
关键词：应变层超晶格
多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移
1997年
采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，研究三元合金ＩｎｌＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４（ｌ＝０，１，２，３，４等五个有序态）的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ（ｘ）值．研究表明：该异质结的ΔＥｖ（ｘ）值随合金组分ｘ的变化接近于线性；ΔＥｖ（ｘ）的理论计算值与实验结果相当符合．
郑金成郑永梅王仁智
关键词：异质结半导体
半导体形变势及其应变层异质结带阶被引量：1
1999年
采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过 Ｉｎ Ｐ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｉｎ Ｐ／ Ｇａ Ｐ、 Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｇａ Ｐ／ Ｇａ Ａｓ、 Ａｌ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ 等应变层异质结在不同应变情况下的价带带阶计算，并证实了该方法的实用性．
李书平王仁智郑永梅蔡淑惠
关键词：形变势半导体
自由电子能带中的平均键能与费米能级被引量：1
2002年
根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。其结果有助于了解平均键能 Em 的物理实质 ,同时也为自由电子系统提供一种通过自由电子能带计算费米能级 EF(或费米半径 k F)
李书平王仁智郑永梅蔡淑惠何国敏
关键词：费米能级平均键能异质结
n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs背反射簿层电池光谱响应的理论分析
1990年
n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs 异质结构背电场背反射簿层电池的光谱响应的计算结果表明:结深x_j对光谱响应有重要的影响,尤其是短波;基区厚度H_2的变化对长波光谱响应也非常敏感,存在一最佳的基区厚度值;比较理想的电池结构参数是:x_j<0.05μm,n型表面区扩散长度L_?>x_j,基区扩散长度 L_1>2H_1。
郑永梅李以柏
关键词：光谱响应
全文增补中
B1结构MgO晶体能带与静态性质的LMTO-ASA研究
1993年
本文探讨LMTO-ASA能带从头计算方法在B1结构晶体研究中的应用。着重研究了该结构MgO晶体的晶格常数、体模量和结合能等有关静态性质以及能带结构计算中添加空原子球的重要作用,采用了一种计算量很小而准确度却与计算量很大的从头计算赝势法相当的LMTO研究方法。该方法对B1结构MgO晶体的晶格常数a_0、体模量B_0和结合能E_c的计算结果分别为:4.21A,1.58Mbar和5.73eV/atom,与已有实验结果和其它更为复杂的从头计算方法的计算结果符合得很好,算得的能带结构与从头计算赝势法相当一致。表明添加空原子球和引用Lowdin微扰法改进计算效率的LMTO-ASA方法适用于B1结构晶体能带和静态性质的研究。
郑永梅王仁智吴孙桃
关键词：氧化镁静态特性
用平均键能确定异质结价带偏移的准确性研究
1994年
我们建议的以平均键能为参考能级的异质结价带偏移△E_v值的理论计算方法已在一系列晶格匹配的异质结的△E_v值的理论计算中获得比一般线性理论方法更准确的结果,几乎达到计算量极大的界面自洽计算方法(也称为非线性理论方法)的准确性.本文对于由AlAs和GaAs构成的AlAs/GaAs异质结的(110)、(111)以及(100)三种不同晶面的(AlAs)_3(GSAS)_3超原胞(简称SL_3),分别采用E_m为参考能级的方法和界面自洽方法进行了理论计算和比较,全面考察SL_3中的平均键能E_m对齐程度与界面结构、界面电荷转移及计算方案的关系,揭示以平均键能为参考能级的△E_v理论计算方法可达到界面自洽方法的准确性的主要原因.
王仁智柯三黄郑永梅黄美纯
关键词：异质结平均键能半导体
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