李书平
- 作品数：85 被引量：78H指数：5
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
- 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上...
- 康俊勇李金钗李书平杨伟煌陈航洋刘达艺
- 文献传递
- 自由电子能带模型中的平均键能与费米能级被引量：3
- 1999年
- 根据半导体自由电子能带模型，采用能带本征值的布里渊区求和而得到费米能级的方法，其结果有助于了解异质结带阶理论计算中所采用的参考能级“平均键能 Ｅｍ”
- 郑永梅王仁智蔡淑惠何国敏李书平
- 关键词：费米能级平均键能异质结
- 一种可拼接多场景可循环利用的污水净化装置
- 一种可拼接多场景可循环利用的污水净化装置，涉及水处理技术领域。包括：用于进行光催化的催化板，用于流通污水并固定光催化板的降解槽，以及用于透光的降解窗。所述催化板是在硅基片上刻蚀的硅纳米线和包覆在硅纳米线表面的二氧化钛组成...
- 黄胜利曲善直李书平康俊勇
- 一种由自由电子能带模型计算费米能级的方法被引量：1
- 2001年
- 对面心立方 (fcc)、体心立方 (bcc)和六角密堆积 (hcp)三种不同结构的晶体 ,在假设它们的原胞中包含8个价电子并将价电子近似为自由电子的情况下 ,采用“自由电子气理论”和“自由电子能带模型” ,研究其根据费米球确定的费米能级EF 与根据自由电子能带模型计算的平均键能Em。研究结果表明 ,由自由电子能带模型计算所得 3种不同结构晶体 (因而电子密度也不一样 )的平均键能Em 等于各自自由电子系统的费米能级EF。平均键能Em 是我们在异质结带阶理论计算中建议的一种参考能级 ,研究结果在深化对平均键能Em 物理实质认识的同时 ,提供了一种借助于自由电子能带模型计算自由电子系统费米能级EF 的新方法。
- 李书平王仁智郑永梅蔡淑惠何国敏
- 关键词：费米能级半导体
- 基于蓝宝石纳米图形衬底的高Al组分AlGaN材料外延生长研究
- 郑锦坚李金钗林伟李书平康俊勇
- AlGaN光学各向异性调控
- AlGaN has emerged as a promising material for ultraviolet optoelectronic devices in the field of information s...
- 林伟姜伟杨闻操蔡端俊李书平康俊勇
- 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法
- 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法，涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光...
- 康俊勇李孔翌蔡端俊杨旭李书平詹华瀚李恒陈晓航
- 文献传递
- 平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究
- 该论文由五章组成,第1章介绍涉及该课题的研究背景和理论基础,第2到5章研究内容与结果的提要如下.第2章,研究自由电子能带模型中的平均键能与费米级间的关系.对于Si、Ge、GaP、InP、AlAs、GaAs、InAs、Al...
- 李书平
- 关键词：平均键能肖特基势垒
- AlGaN量子结构及其紫外光源应用
- 2020年
- AlGaN量子结构是实现高光效、高稳定紫外固态光源的核心。近年来,AlGaN半导体材料及其紫外光源应用研究取得了较大的进展。然而,AlGaN材料的生长制备只能在非平衡条件下完成,涉及的生长动力学问题十分复杂,制约了量子阱等结构品质的提高;材料带隙宽,p型掺杂难度大,激活效率低,限制了载流子注入;光学各向异性显著,不利于光从器件正面出射。因此,AlGaN基紫外、特别是深紫外波段器件性能还有待提高。本文梳理了AlGaN量子结构与紫外光源效率之间的关系,详细阐述和总结了有源区量子结构、p型掺杂量子结构以及光学各向异性调控等方面所面临的挑战及近年来的重要研究进展。
- 李金钗高娜林伟蔡端俊黄凯李书平康俊勇
- 关键词：ALGAN量子结构紫外光源
- 金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能
- 2006年
- 为了进一步了解在金属-半导体接触势垒高度计算中采用半导体平均键能Em作为参考能级的合理性,本文在金属-半导体超晶格的LMTO-ASA能带计算中,引用“冻结势”方法,计算了(Ge2)4(2Al)6(001),(Ge2)4(2Au)6(001),(Ge2)4(2Ag)6(001),(GaAs)4(2Al)6(001),(GaAs)4(2Au)6(001)和(GaAs)4(2Ag)6(001)等超晶格金属-半导体界面两侧的金属费米能级EF(M)和半导体平均键能Em(S).研究发现,在超晶格的金属-半导体界面两侧,金属的费米能级EF(M)与半导体的平均键能Em(S)几乎处于同一能量水平线上,Em(S)≈EF(M),也就是EF(M)与Em(S)在界面两侧相互“对齐”.因此,在理想金属-半导体接触的势垒高度理论计算中,采用半导体平均键能Em作为参考能级,可以获得比较可靠的计算结果.
- 李书平王仁智
- 关键词：金属
