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黄敞

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇晶体管
  • 1篇异质结
  • 1篇散射
  • 1篇散射矩阵
  • 1篇双极性
  • 1篇双极性晶体管
  • 1篇微波晶体管
  • 1篇截止频率
  • 1篇SOI
  • 1篇HBT

机构

  • 2篇北京师范大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 2篇李国辉
  • 2篇黄敞
  • 1篇冯国进
  • 1篇吴国华
  • 1篇齐臣杰
  • 1篇王晓慧

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇北京师范大学...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
微波晶体管散射矩阵的数值计算
2001年
提出了一种计算半导体器件散射矩阵的方法 ,该方法采用数值分析技术 ,把描述有源半导体器件的泊松方程和电流连续性方程与描述输入输出匹配网络的电报方程联立求解 ,得到了晶体管端点电压和端点电流随时间的变化关系 ,根据电压电流值求出器件的散射矩阵 .在设计微波单片集成电路 (MMIC)时 ,可以同时对器件和输入输出匹配电路进行设计 ,缩短了研制周期 .另外计算了 SOI MOSFET微波器件的散射矩阵 .结果表明 ,该方法与传统的参数提取方法相比 ,两者的结果基本一致 .
齐臣杰吴国华王晓慧李国辉黄敞
关键词：SOI散射矩阵微波晶体管
模拟HBT电流增益截止频率新方法
1996年
从半导体器件的基本方程出发，采用数值模拟方法，按照电流增益截止频率（ｆＴ）的定义，模拟计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的ｆＴ，以及偏置电压和输入信号幅值对ｆＴ的影响，给出了电流放大系数随频变化的复平面图。
冯国进黄敞李国辉
关键词：异质结截止频率双极性晶体管
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共1页<1>
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