丁文
- 作品数：57 被引量：36H指数：3
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术电气工程电子电信更多>>
- 曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究
- 2005年
- 采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.
- 陈吉安茅昕辉赵晓昱丁文曹莹周勇
- 关键词：磁控溅射
- 软磁多层膜力敏传感器及其制备方法
- 本发明提供一种软磁多层膜力敏传感器及其制备方法，传感器中曲折型的软磁多层膜力敏器件由中间铜导电层、铜导电层外围包裹的软磁薄膜及软磁薄膜上的顶层保护层构成三明治结构，引脚从铜导电层引出，整个力敏器件位于硅悬臂梁上，硅悬臂梁...
- 周勇陈吉安丁文张亚民高孝裕
- 文献传递
- 夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究被引量：2
- 2006年
- 采用MEMS技术在玻璃基片上制备了夹心结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，并在1～40MHz范围内研究了它的巨磁阻抗效应。纵向巨磁阻抗效应先随着外加磁场的增大而迅速增加，在某一磁场下达到最大值后随磁场的增加而逐渐减小。在频率为5MHz时，Hext为0．8kA／m时巨磁阻抗效应最大值达到32．06％。另外，夹心结构多层膜表现出较大的负巨磁阻抗效应，在频率5MHz，Hext=9．6kA／m时，负最大巨磁阻抗效应可达-24．50％。
- 商干兵周勇余先育丁文周志敏曹莹
- 关键词：巨磁阻抗效应MEMS技术
- 基于组态工具Intouch的工控系统监控软件开发被引量：9
- 1998年
- 本文讨论了PC机常用监控应用软件开发工具的优劣，以组态软件Intouch为例介绍了监控软件的开发方法，并例举了一个典型应用实例。
- 陈佳品程君实梁文泳冯萍丁文
- 关键词：组态软件INTOUCH监控软件软件开发
- 集成磁弹性传感器
- 一种微机电系统技术领域的集成磁弹性传感器，包括：玻璃衬底、磁场激励偏置线圈、信号接受线圈、传感器支撑、磁性带材和绝缘材料层，磁场激励偏置线圈位于玻璃衬底上，信号接受线圈位于磁场激励偏置线圈的上方，传感器支撑位于信号接受线...
- 周志敏周勇雷冲陈磊丁文
- 文献传递
- 非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件的制作方法
- 一种微电子技术领域的非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件的制作方法，其制作方法如下：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体和引脚；去光刻胶和底层；甩聚酰亚胺、固化及抛光；溅射Fe...
- 周勇丁文
- 文献传递
- 多层微桥试验法测量薄膜力学性能的研究
- 2008年
- 本文推导了表征多层结构微桥试验挠度-载荷关系的特征参数。通过MEMS(微机电系统)技术制备了包含亚微米厚度NiFe和Cu薄膜的5层和8层微桥,采用XP纳米压痕仪进行微桥试验。基于小挠度理论和固支(built-in)边界条件,通过时不同长度微桥挠度-载荷关系曲线的研究,计算了梁弯由刚度和单位宽度残余合力,并提出了一种估算薄膜机械性能的方法。得到NiFe薄膜弹性模量、残余应力分别为201.54GPa和270:75MPa,Cu薄膜为120.15GPa和50.31MPa。
- 周志敏周勇曹莹丁文毛海平
- 关键词：MEMS机械性能
- 非接触式共轴磁弹性传感器
- 一种非接触式共轴磁弹性传感器，属于测量技术领域。本发明包括：第一PVC管(聚氯乙烯管)、第二PVC管、第三PVC管、偏置线圈、激励线圈、接收线圈和软磁带材，其中：第一PVC管同轴地套接于第二PVC管的外部，第二PVC管同...
- 周志敏周勇陈磊雷冲丁文
- 文献传递
- 基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法
- 一种微电子技术领域的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，方法如下：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体；去光刻胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；溅...
- 周勇丁文
- 文献传递
- FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究被引量：1
- 2005年
- 采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜.在频率(1～40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系.结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达-17.4%和-20.7%.薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系.
- 张亚民陈吉安周勇丁文王明军高孝裕
- 关键词：电子技术巨磁阻抗效应
