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何西良

作品数:22 被引量:16H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 14篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇滤波器
  • 9篇封装
  • 7篇芯片
  • 6篇倒装焊
  • 6篇声表面波
  • 6篇声表面波滤波...
  • 6篇体声波
  • 6篇封装结构
  • 5篇谐振器
  • 4篇体声波谐振器
  • 4篇金球
  • 4篇晶圆
  • 4篇基板
  • 4篇薄膜体声波谐...
  • 3篇电极
  • 3篇陶瓷
  • 3篇FBAR
  • 2篇植球
  • 2篇声能
  • 2篇陶瓷基

机构

  • 22篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 22篇何西良
  • 15篇金中
  • 7篇刘娅
  • 7篇杨正兵
  • 5篇唐代华
  • 4篇蒋平英
  • 4篇曹亮
  • 4篇杜雪松
  • 4篇徐阳
  • 4篇曾祥君
  • 4篇罗欢
  • 3篇唐小龙
  • 3篇司美菊
  • 2篇李磊
  • 2篇肖立
  • 2篇米佳
  • 2篇张永川
  • 2篇彭霄
  • 1篇姚远
  • 1篇吴雪梅

传媒

  • 6篇压电与声光
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2012
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
包括薄膜体声波器件裸芯片在内的多芯片模组封装结构
本实用新型公开了一种包括薄膜体声波器件裸芯片在内的多芯片模组封装结构,包括基板和裸芯片,所述裸芯片包括薄膜体声波器件裸芯片和其他功能裸芯片,基板和所有裸芯片上设有对应的电极,其特征在于:所有裸芯片电极通过倒装焊由金球与基...
金中何西良罗旋升罗欢
文献传递
基于PCB板的射频声表滤波器封装技术研究被引量:3
2013年
目前主流的终端用射频声表面波(RF-SAW)滤波器均采用基于低温共烧陶瓷(LTCC)基板的倒装焊接技术,标准尺寸为单滤波器1.4mm×1.1mm,封装形式为芯片尺寸级封装(CSP)。介绍了一种基于印刷电路板(PCB)的CSP封装声表面波滤波器,其尺寸达到了1.4mm×1.1mm。使用该基板后,单个器件的材料成本将降低30%以上。通过优化基板的结构,可以达到与LiTaO3匹配的热膨胀系数(CTE)和较低的吸湿性。经后期的可靠性试验证明,该结构的射频滤波器可完全满足工程应用的需求。
金中杜雪松何西良曹亮唐代华罗山焱陈婷婷
关键词:印刷电路板倒装焊接
一种多层薄膜结构的声表面波滤波器
本发明涉及一种声表面波器件,涉及一种多层薄膜结构的声表面波滤波器;所述滤波器包括压电层和所述压电层上方梳状设置的金属指条,在所述压电层下方设置有功能层,在所述功能层下方设置有高声速层,在所述高声速层下方设置有支撑衬底。包...
彭霄蒋平英何西良罗旋升谢东峰司美菊杨彬彬黎妮罗丹刘春雪
文献传递
一种应用于高频声表面波器件划片工艺的静电消除结构
本实用新型提供的应用于高频声表面波器件划片工艺的静电消除结构,包括晶圆和若干个高频声表面波器件;高频声表面波器件包括正电荷汇流条和负电荷汇流条,高频声表面波器件并排相邻设置在该晶圆上,相邻的两个高频声表面波器件中,一高频...
金中李磊李燕杨正兵刘娅何西良曾祥君唐代华曹亮
文献传递
压电单晶薄膜衬底光刻工艺研究被引量:2
2021年
单晶薄膜声表面波(SAW)滤波器因其低损耗,低频率温度系数及大带宽而成为高性能SAW滤波器未来发展的方向。针对单晶薄膜衬底反射带来的换能器指条锯齿和均匀性恶化的问题,该文采用了有机抗反射膜工艺,通过控制抗反射膜的膜厚将衬底的相对反射率由15.84%降低至1.08%,制作出整齐无毛刺的叉指换能器指条,并将SAW谐振器的伯德Q(Bode-Q)值由1400提升到1950。
唐代华潘祺米佳冷俊林唐塽何西良黎妮
关键词:抗反射膜光刻
一种射频声表面波滤波器倒装焊结构
本实用新型公开了一种射频声表面波滤波器倒装焊结构,包括芯片和陶瓷基板,所述陶瓷基板上设有镀金焊盘,所述焊盘上设有锡膏层,在焊盘周围的陶瓷基板上设有绝缘层;在芯片的焊接面植有金球,所述芯片通过金球与锡膏层相焊接的方式与陶瓷...
金中何西良曾祥君杨正兵肖立
文献传递
用于磁控溅射膜的一种剥离技术被引量:1
2018年
为了解决磁控溅射膜的剥离问题,该文研制了一种新型的双层胶剥离技术。通过调整双层光刻胶的坚膜时间、坚膜温度和显影时间,制备出好的光刻胶倒梯形形貌,得到磁控溅射膜较好的剥离效果。为薄膜体声波谐振器(FBAR)的研制提供了有意义的指导。
刘娅杨正兵蒋欣李磊何西良徐阳
关键词:磁控溅射
薄膜体声波谐振器调频工艺研究被引量:5
2018年
薄膜体声波器件具有体积小及性能高等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层等声学层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素。该文分析了FBAR调频的必要性、原理及扫描刻蚀的工作方式,研究了调频层薄膜在不同刻蚀功率时对器件频率的影响。通过对FBAR器件进行调频,频率均匀性提高了6.5倍,频率分散性得到显著改善。
彭兴文徐阳杜波张永川司美菊刘娅何西良卢丹丹
关键词:薄膜体声波谐振器调频离子束
S波段低插损FBAR陷波器的研制被引量:2
2021年
该文介绍了一种单端口、端口阻抗50Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2399~2412 MHz,陷波抑制达35 dBc;通带频率分别为1800~2300 MHz和2500~2800 MHz,通带插损仅1 dB;3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明,陷波器实测与仿真结果两者相吻合。
蒋平英蒋世义何西良陈金琳彭霄徐阳刘娅
关键词:陷波器芯片
交指型MEMS滤波器的优化设计被引量:1
2019年
交指型微机电系统(MEMS)滤波器是采用MEMS工艺制备出的交指型结构滤波器,针对交指型MEMS滤波器电磁优化算法中存在速度慢,占用计算资源大等问题,对交指型MEMS滤波器优化设计方法进行了研究。采用主动空间映射算法,在ADS和HFSS软件中建立滤波器电路结构模型和三维结构电磁模型,并分别将它们用于主动空间映射算法所需的粗糙仿真和精确仿真,仅进行了5次精确仿真就完成了一款Ku波段滤波器的优化设计。结果表明,设计的滤波器中心频率为14GHz,顶部损耗为1.6dB,-1dB带宽为2.2GHz,满足设计指标要求,同时验证了优化设计方法的可行性。
唐小龙金中何西良刘娅梁柳洪刘洋宏
关键词:交指滤波器
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