刘娅
- 作品数：32 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构
- 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形...
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- 文献传递
- 一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器
- 本申请涉及一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器，属于薄膜体声波滤波器设计技术领域；所述谐振器包括第一衬底和压电叠层结构，所述第一衬底的顶部设置有第一空腔；所述压电叠层结构位于所述第一衬底上，所述压电叠层结构...
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- 一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构
- 本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域，具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构，所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板，在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片；有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方，在...
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- 文献传递
- 一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法
- 本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板，在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片；在功能芯片的两肩处形成有向上凸起...
- 刘娅马晋毅徐阳田本朗梁柳洪龙飞蒋平英张必壮谭发曾
- C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制被引量：1
- 2022年
- 该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。
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- 关键词：插入损耗
- 一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构
- 本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域，具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构，所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板，在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片；有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方，在...
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- 文献传递
- 一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法
- 本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板，在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片；在功能芯片的两肩处形成有向上凸起...
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- 文献传递
- C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证
- 2023年
- 介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。
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- 关键词：宽带
- 一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器及滤波器
- 本发明公开了一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器，包括15°铌酸锂基片，所述基片上梳状设置有金属指条，所述基片及金属指条上设置有一层二氧化硅温度补偿层，所述金属指条的宽度d与所述超宽带声表面波谐振器的半个谐振周期p的比值的取...
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- 文献传递
- 基于裸芯片覆膜的薄膜体声波滤波器被引量：3
- 2021年
- 该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm×1 mm×0.4 mm,滤波器的中心频率为3 GHz,中心插损为1.3 dB。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器裸芯片,同时采用覆膜工艺对FBAR裸芯片表面进行覆膜保护,避免裸芯片在使用或运输等过程中被损坏。测试结果显示,覆膜前滤波器裸芯片的中心频率为2.993 GHz,中心插损为1.69 dB;覆膜后滤波器的中心频率为2.997 GHz,中心插损为1.51 dB。对覆膜的影响和覆膜前后的差异进行了分析。
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- 关键词：裸芯片覆膜插入损耗
