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包峰

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇稀土
  • 4篇离子
  • 4篇离子半径
  • 4篇金属
  • 4篇晶格
  • 4篇晶格畸变
  • 2篇有机配合物
  • 2篇配合物
  • 2篇稀土金属
  • 2篇稀土离子
  • 2篇稀土有机配合...
  • 2篇金属有机
  • 2篇金属有机化学...
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇发光
  • 2篇发光性
  • 2篇发光性能
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇徐科
  • 5篇黄凯
  • 5篇张锦平
  • 5篇曾雄辉
  • 5篇包峰
  • 4篇任国强
  • 4篇王建峰
  • 1篇张鹏强

年份

  • 2篇2012
  • 3篇2010
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法
本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法，在生长过程中掺杂稀土离子，取代部分Ga<Sup>3+</Sup>的晶格格位，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝，在生长过程中所述...
曾雄辉徐科王建峰任国强黄凯包峰张锦平
金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法
本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga<Sup>...
曾雄辉徐科王建峰任国强包峰黄凯张锦平
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分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法
本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法，在生长过程中掺杂稀土离子，取代部分Ga<Sup>3+</Sup>的晶格格位，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝，在生长过程中所述...
曾雄辉徐科王建峰任国强黄凯包峰张锦平
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金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法
本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga<Sup>...
曾雄辉徐科王建峰任国强包峰黄凯张锦平
一种有机单晶晶体管阵列及其制备方法
本发明揭示了一种有机单晶晶体管阵列，该晶体管阵列为底栅极底接触结构，自底部朝向上表面依次包括基底的栅极、绝缘层、源漏电极阵列及有机半导体晶体，其特征在于：所述源漏电极阵列表面修饰有诱导晶体生长的石墨烯，有机半导体晶体生长...
曾雄辉张鹏强徐科包峰黄凯张锦平
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