吴月花
- 作品数：17 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 徽电子器件失效激活能的快速评价方法
- 本文通过对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速评价微电子器件失效激活能的方法,建立了计算失效激活能的理论模型.并对硅PNP三极管3CG120进行额定功率下,170℃-345℃范围内的序进应力加速寿命试验,快速提取器...
- 郭春生李志国吴月花程尧海廖京宁
- 关键词：电子器件三极管
- 文献传递
- ULSI/VLSI中铝互连线热应力的数值模拟
- 2005年
- 对有钝化层与无钝化层的铝互连线的热应力进行了数值模拟,并建立起互连线的二维有限元模型。对无钝化的铝互连线,只考虑弹性行为,其应力随线宽及衬底刚度的增加而增加。对于钝化的铝互连线,对其弹性行为和弹性/理想塑性行为进行了模拟。结果发现,互连线线宽的减小,钝化层硬度的增加,都会使应力增加。与纯弹性线条相比,弹性/理想塑性互连线条中的应力有所减小,且分布更均匀。
- 付厚奎吴月花刘志民郭春生李志国程尧海吉元崔伟
- 关键词：VLSI铝互连线热应力有限元
- 多层金属化系统中的蓄水池效应
- 本文对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大.本文中设计了12种不同的蓄水池结构,进行电迁移实验.考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线的电迁移寿命的影响.得出蓄水池的面积是影响...
- 李秀宇吴月花郭春生刘鹏飞
- 关键词：电迁移互连线
- 文献传递
- 多层金属化系统中蓄水池效应对电迁移寿命的影响
- 2007年
- 在W通孔的多层金属化系统中,金属离子的蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大,文中设计制作了12种不同的蓄水池结构,并进行了电迁移实验.着重考察蓄水池面积、通孔位置、通孔数目对互连线电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素.
- 郭春生李秀宇李志国吴月花
- 关键词：互连线电迁移
- VLSI中互连线的电热应力及可靠性的研究
- 本论文主要研究了VLSI中微米特征尺寸Al互连线在电热条件、互连线制备和随后的热循环过程中的应力分布;得出了互连线应力状态随电流密度、温度、钝化层材料、热循环过程等的变化关系。考察了互连线末端及通孔结构对互连线的电迁移寿...
- 吴月花
- 关键词：铝互连线电迁移热应力热循环
- 文献传递
- 有限元分析法在MCM三维热模拟中的应用
- 2006年
- 多芯片组件(MCM)的可靠性特别是其热可靠性已经成为国内外电子产品可靠性研究的焦点之一.热有限元分析法是多芯片组件热分析的重要方法.本文运用ANSYS工具建立了MCM的三维热模型,得到了温场分布.通过热模拟和热分析,提出了改善MCM温场的方案.
- 胡修振李志国郭春生吴月花廖京宁
- 关键词：多芯片组件有限元分析ANSYS热模拟热分析
- VLSI/ULSI中金属化系统的蓄水池效应
- 对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及...
- 李志国李秀宇朱春节郭春生吴月花
- 关键词：VLSIULSI金属化系统金属离子电迁移
- 文献传递
- 多层金属化系统中的蓄水池效应被引量：1
- 2007年
- 对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大。设计了12种不同的蓄水池结构,并进行电迁移实验;考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线的电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素。
- 李秀宇吴月花李志国郭春生刘朋飞朱春节
- 关键词：互连线电迁移
- 钝化层对铝膜应力影响的研究
- 本文用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,同时采用光偏振相移干涉原理对硅基片上不同钝化层下的铝膜应力变化进行了研究.研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同.钝化层为SiO2的应力最小,且分布较为均匀,而钝化层为...
- 吴月花付厚奎李志国吉元刘志明
- 关键词：集成电路钝化层屈服应力
- 文献传递
- 不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究被引量：1
- 2007年
- 采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化。研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同。SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大。200℃下退火4 h后,应力减小明显,且分布趋向均匀。同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,模拟结果与实验结果相符。
- 李秀宇吴月花李志国付厚奎
- 关键词：钝化层应力
