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张万荣

作品数：6 被引量：23H指数：2
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇应变层
  • 3篇晶体管
  • 2篇异质结
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇X
  • 1篇应变SI
  • 1篇锗硅
  • 1篇锗硅合金
  • 1篇锗化硅
  • 1篇势垒
  • 1篇重掺杂
  • 1篇禁带
  • 1篇基区渡越时间
  • 1篇硅锗
  • 1篇硅锗合金
  • 1篇半导体
  • 1篇SI/SIG...
  • 1篇SI/SIG...
  • 1篇SIGE合金
  • 1篇HBE

机构

  • 5篇西安交通大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇张万荣
  • 4篇罗晋生
  • 3篇曾峥
  • 1篇江德生
  • 1篇吴文刚

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子科学学刊

年份

  • 5篇1996
共 6 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
应变Si_（1－x）Ge_x层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算被引量：9
1996年
计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价带有效态密度随之快速减小，而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组分ｘ的增加而减小得越快，而本征载流于浓度上升得越快。同时还发现，具有大Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积对温度Ｔ的依赖关系弱，而具有小Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，上述归一化参数对温度Ｔ的依赖关系强，这和目前仅有的文献［８］中，它们与温度依赖关系的定性研究结果相一致。
张万荣曾峥罗晋生
关键词：硅锗合金
p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算被引量：1
1996年
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～3×10^(19)cm^(-3)后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
吴文刚张万荣江德生罗晋生
关键词：锗硅合金重掺杂半导体
Si/SiGe异质结双极晶体管的理论与设计制作研究
该文在应变SiGe层材料物理参数模型、Si/SiGe HBT器件物理、器件模型、优化设计、材料结构设计与生长以及器件的实验研制等方面进行了较为系统深入的研究.首先全面总结和发展了应变SiGe层材料物理参数和Si/SiG...
张万荣
关键词：SIGE合金异质结晶体管
Si／SiGe／Si双异质结晶体管异质结势垒效应（HBE）研究被引量：14
1996年
本文研究了不同温度下Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ双异质结晶体管（ＤＨＢＴ）异质结势垒效应（ＨＢＥ），研究发现，集电结（ＢＣ）处价带能量差△Ｅｖ越大，ＨＢＥ越明显，在给定的△Ｅｖ下，随着温度的降低，ＨＢＥ越显著。在低温下ＨＢＥ比常温下更严重地退化器件参数；基于以上研究结果，我们指出了减弱ＨＢＥ的有效方法，本研究结果对设计开发Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ，尤其对设计开发低温工作的微波功率Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ是非常重要的。
张万荣曾峥罗晋生
关键词：应变层势垒双极晶体管锗化硅
线性缓变SiGe　HBT低温基区滚越时间的研究被引量：1
1996年
提出了线性缓交ＳＩＧｅＨＢＴ的基区滚越时间τｂ的解析模型，基于该模型研究了基区渡越时问的低温行为。研究发现，τｂ随温度的降低而迅速减小，虽然大的基区Ｇｅ组份级变有利于τｂ的减少，但对小的基区缓变的ＨＢＴ，通过降低温度，也能使τｂ有较大的减小，改善其频率特性。
张万荣曾峥罗晋生
关键词：异质结双极晶体管基区渡越时间应变层
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