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徐静波

作品数:89 被引量:24H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院微电子研究所所长基金更多>>
相关领域:电子电信医药卫生自动化与计算机技术文化科学更多>>

文献类型

  • 69篇专利
  • 19篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 4篇医药卫生
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 36篇纳米
  • 34篇纳米线
  • 31篇场效应
  • 26篇晶体管
  • 25篇单片
  • 25篇单片集成
  • 19篇背栅
  • 19篇场效应晶体管
  • 16篇电路
  • 15篇半导体
  • 14篇化合物半导体
  • 14篇ZNO纳米
  • 14篇ZNO纳米线
  • 14篇MHEMT
  • 12篇衬底
  • 11篇电子迁移率
  • 11篇迁移率
  • 11篇沟道
  • 11篇场效应管
  • 10篇光刻

机构

  • 88篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院大...
  • 3篇中国科学院
  • 2篇上海理工大学
  • 1篇四川大学

作者

  • 89篇徐静波
  • 81篇张海英
  • 41篇付晓君
  • 40篇黎明
  • 23篇叶甜春
  • 10篇尹军舰
  • 9篇刘亮
  • 8篇李潇
  • 4篇陈永波
  • 3篇宋雨竹
  • 3篇王云峰
  • 3篇牛洁斌
  • 3篇刘训春
  • 2篇陈麟
  • 2篇郭天义
  • 2篇彭滟
  • 2篇朱亦鸣
  • 2篇杨浩
  • 2篇张健
  • 2篇卞金鑫

传媒

  • 10篇Journa...
  • 2篇传感器与微系...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇太原理工大学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇微型机与应用
  • 1篇心血管病防治...

年份

  • 1篇2021
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 8篇2011
  • 22篇2010
  • 31篇2009
  • 8篇2008
  • 6篇2007
89 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料
本发明涉及化合物半导体材料技术领域,公开了一种实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料,该实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料由在GaAs衬底上依次外延生长GaAs缓冲层、Al<Sub>0.22</Sub>Ga<Sub>...
徐静波张海英叶甜春尹军舰
文献传递
听诊器系统
本发明公开了一种听诊器系统。该听诊器系统包括:声音传感器,用于采集人体的声音数据;模式转换开关,用于切换心音、肺音、肠鸣音等不同的工作模式,其中,听诊器系统具有至少两个工作模式,在不同工作模式中,听诊器系统的滤波频率范围...
徐静波苑韬陈永波单强廖曦文张海英
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功率增益截止频率为183GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs(英文)被引量:1
2007年
通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.
刘亮张海英尹军舰李潇杨浩徐静波宋雨竹张健牛洁斌刘训春
关键词:高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)被引量:1
2007年
报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.
刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹牛洁斌刘训春
关键词:截止频率高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法
本发明公开了一种适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法,该方法包括:采用湿法腐蚀形成隔离台面,然后光刻栅条;蒸发Ti/Pt/Au栅金属结构,接着常规剥离形成金属图形;最后在高温快速...
黎明徐静波付晓君
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一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法
本发明公开了一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法,包括:选择衬底,在衬底的正面沉积栅氧介质;在衬底的背面蒸发金属,形成背栅电极;在衬底正面沉积的栅氧介质上制作定位标记;将氧化锌纳米线转移和淀积至已完成定位标记制作的...
徐静波黎明付晓君张海英
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一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法
本发明公开了一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法,该方法包括:在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质,形成场效应晶体管衬底;在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶,光刻曝光;蒸发源漏金属,形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体...
付晓君张海英徐静波黎明
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一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法
本发明公开了一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法,该方法包括:A.在衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>介质层,涂胶、前烘,RIE打底胶,采用十字或凹槽版对衬底进行光刻;B.将ZnO纳米线从原衬底上剥离,滴到场效应...
黎明张海英付晓君徐静波
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单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构
本发明公开了一种单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管材料结构,该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成,所述GaAs基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层InP隔开;所述GaAs基MHEM...
徐静波张海英叶甜春
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低噪声多模电子听诊器设计
2018年
设计了一种低噪声多模电子听诊器。经测试,该听诊器信噪比达44dB,增益可达35dB以上,噪声系数1.8dB,具有检测心音、肺音、肠鸣音等不同工作模式,测试者可根据测试部位调整通频带,抑制其他频段的无关噪声,突出所需部位声音。相较于传统听诊器,该听诊器能够更准确的检测、储存和显示人体微弱声音信号,为临床诊断提供了客观化的参考依据;相较于同类产品,该听诊器具有较为优秀的噪声特性和部位适应性。
苑韬徐静波张海英
关键词:电子听诊器多模微机电系统低噪声
共9页<123456789>
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