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施雪捷

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：东南大学微电子中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇全耗尽
  • 1篇金属-氧化物...
  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇半导体
  • 1篇薄膜全耗尽
  • 1篇SOIMOS...
  • 1篇MOS器件

机构

  • 1篇东南大学
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 1篇张正璠
  • 1篇樊路加
  • 1篇冯耀兰
  • 1篇宋安飞
  • 1篇施雪捷

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究被引量：2
2002年
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )
冯耀兰樊路加宋安飞施雪捷张正璠
关键词：绝缘体上硅金属-氧化物-半导体MOS器件
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共1页<1>
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