曹昆
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 硅材料的场致线性电光效应被引量：2
- 2009年
- 从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应,系统的半波电压小于170 V,从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号,以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致,也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。
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- 关键词：非线性光学硅材料
- 立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光(英文)被引量：2
- 2006年
- 测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性,它们为非线性曲线.使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性,曲线的形状非常相似.在样品两端的电压值大约为560V时,cBN晶体发生电致发光现象.利用空间电荷限制电流和能谷间的电子跃迁解释了上述实验现象.
- 窦庆萍陈占国贾刚马海涛曹昆张铁臣
