康俊勇
- 作品数：227 被引量：130H指数：6
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构与方法
- 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上...
- 吴雅苹柯聪明周江鹏康俊勇吴志明张纯淼
- 文献传递
- 一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法
- 本发明公开了一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法，将碳化硅晶体置于计算机层析扫描(CT)的载物台上，通过特定参数下的计算机层析扫描结合图像衬度，以及形貌特征的鉴别，可对碳化硅晶体内典型缺陷实现快速无损地检测，直接获取被测...
- 尹君叶晓芳康闻宇姜伟康俊勇
- ZnO中Li相关缺陷结构性质被引量：5
- 2006年
- 采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种L i相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明,ZnO中L i杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级。进一步通过构造L i替Zn位L iZn与不同本征缺陷所构成的复合体结构,并对模拟计算的结果进行分析比较得出,O反位OZn可与L iZn形成比L i间隙位更稳定的复合体,可高溶解度地稳定存在于ZnO中,并在禁带中产生受主能级,是较好的p型导电性候选缺陷。
- 徐群和康俊勇
- 关键词：ZNO本征缺陷第一性原理计算
- 基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计被引量：1
- 2022年
- 通过模拟仿真对双波长堆叠的c面InGaN/GaN多量子阱(MQWs)发光二级管的载流子浓度、自发辐射复合率以及极化电场等进行了研究。结果表明,通过调节双波长堆叠的InGaN多量子阱的阱层和垒层厚度,可调控载流子特别是空穴在量子阱有源区的分布,实现双波长发光峰比例调制。进而考察了在相同外延条件下生长的半极性面InGaN/GaN堆叠量子阱LED的发光特性。在此基础上,提出基于多波长堆叠InGaN/GaN多量子阱结构的c面和{1011}或{1122}半极性面混合的单芯片白光LED设计方案,通过调节c面发光光谱在混合光谱中的比例,可获得覆盖大部分可见光波段、色温从4500~9000 K可调、且显色指数最高可达91.3的白光。
- 王永嘉杨旭李金钗李金钗康俊勇
- 关键词：INGAN极化效应
- 一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法
- 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3...
- 康俊勇李光容王伟平吴志明孔丽晶吴雅苹李煦
- 文献传递
- 一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、...
- 高娜冯向卢诗强黄凯陈航洋李书平康俊勇
- 文献传递
- 一种表面等离激元同轴光波导结构
- 一种表面等离激元同轴光波导结构，涉及一种光波导。提供一种有利于传播光信号的表面等离激元同轴光波导结构。设有圆柱形芯层和管状壳层，圆柱形芯层为金属芯层，壳层为宽带隙介质壳层。以金属为芯层的表面等离激元同轴线光波导结构，可以...
- 康俊勇庄庆瑞冯夏
- 文献传递
- 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法
- 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法，涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡－补偿插层方法，在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理，有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应，以获得超...
- 蔡端俊陈小红康俊勇
- 文献传递
- 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
- 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上...
- 康俊勇李金钗李书平杨伟煌陈航洋刘达艺
- 文献传递
- AlGaAs混晶中的Sn施主深能级
- 1991年
- 用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现两个多子谱峰A和B。在光照下,低温处的A峰更为明显。实验分别测量了A、B能级的发射及俘获的瞬态过程,用混晶无序引起能级展宽模型拟合了实验数据,得到它们的发射激活能,俘获势垒及其组分关系。分析表明,A 及B能级同属于Sn替位施主杂质,并证明DX中心深能级的复杂性。
- 康俊勇林虹黄启圣
- 关键词：ALGAASSN深能级
