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杨振川: 作品数：88 被引量：73H指数：4; 供职机构：北京大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程电气工程更多>>

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单芯片MIMU关键器件研究: 论文在充分调研和分析国内外微机械惯性传感器研究状况基础上,针对单芯片MIMU的应用需求与现有问题,开展单芯片体硅MIMU中关键器件研究,设计、加工和测试完成了采用新型检测电容结构的z轴加速度计和水平轴陀螺.论文首先从理论...; 杨振川; 关键词：微机电系统惯性传感器陀螺加速度计

一种低噪声热式质点振速传感器及其实现方法: 本发明公开了一种低噪声热式质点振速传感器及其实现方法。本发明采用在流道上设置偶数个测温电阻，并且在测温电阻内设置奇数个加热电阻，通过选择加热电阻的材料，减小加热电阻的温度电阻系数TCR，同时增加加热电阻的宽度w，减小加热...; 朱哲政陈旺楠杨凌濛杨振川高成臣郝一龙

一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法: 本发明公开了一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法，其是在原有工艺步骤(6)之后，采取以下工艺步骤：(7)在硅片正面形成金属掩模层；(8)光刻定义出MEMS结构区，用腐蚀液腐蚀金属层，去除光刻胶；(9)在...; 王佳闫桂珍杨振川范杰; 文献传递

一种不等高硅结构与集成电路的单片集成加工方法: 本发明涉及一种不等高硅结构与集成电路的单片集成加工方法，其步骤为：(1)选用包括器件层、埋氧层和衬底层的SOI基片；(2)在器件层进行集成电路加工并生成介质层；(3)对介质层第一次刻蚀形成介质层浅槽，制成高度被降低的掩模...; 杨振川闫桂珍郝一龙

一种微机械梳齿电容器: 本发明提供了一种微机械梳齿电容器，涉及微电子机械领域，所述微机械梳齿电容器包括：固定梳齿电极和可动梳齿电极，所述固定梳齿电极和可动梳齿电极交叠成解耦梳齿电容器，当所述可动梳齿电极在外力作用下，与所述固定梳齿电极相对离面运...; 郭中洋杨振川闫桂珍; 文献传递

一种微机械加速度锁存开关: 本发明涉及一种微机械加速度锁存开关，它包括衬底，及相对于衬底x轴对称的多个锚点、触头、挠性梁和惯性质量块；各锚点固定连接在衬底上；触头包括动触头、两分别位于动触头上方两侧的顶触头、两分别位于动触头下方两侧的侧触头；动触头...; 郭中洋杨振川闫桂珍

一种离面静电驱动器及其制作方法: 本发明涉及一种低驱动电压MEMS梳齿式离面静电驱动器结构及其制备方法，本发明的驱动器结构包括固定电极、可动电极、锚点、组合扭转梁、驱动输出部分和信号引出焊盘；所述固定电极为固定在基片上的梳齿式电极；所述可动电极为连接到所...; 王建坤杨振川闫桂珍; 文献传递

一种硅微环形谐振陀螺的刚性主轴定位与激光平衡匹配算法: 本发明提供一种用于硅微环形谐振陀螺的刚性主轴的定位与激光平衡匹配算法，包括正交耦合调零、模态频率匹配，刚性主轴定位、激光平衡匹配，四个步骤。加工不完美的环形陀螺存在一个刚度较大的刚性主轴，可以利用电学方法，求解得到刚性主...; 白泽森崔健杨振川赵前程; 文献传递

A Sacrificial Layer Etching Method Applied in Surface Micromachining Using Agitated BHF and Glycerol Solution被引量：1: 2008年; A modified buffered-HF solution with NH4 F ： glycerol ： HF（4 ： 2 ： 1）is studied. With the implementation of a heating and agitating mechanism, this method is applied in a sacrificial layer etching scheme that increases the selectivity between silicon dioxide and aluminum. The etching rates of SiO2 and Al as a function of solution temperature are determined. Moreover,the effects of adding glycerol and agitating the etchant are examined and compared with this method. Finally, this method is tested on an actual device, and its efficiency is scrutinized.; 王晓宁杨振川闫桂珍; 关键词：GLYCEROL

采用防Footing效应工艺加工的SOI微加速度计被引量：1: 2010年; 为了解决深刻蚀绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)材料时存在的横向刻蚀(Footing)效应,在背腔释放SOI微机电系统(micro electro mechanical system,MEMS)工艺基础上,提出并实现了一种改进的利用背面保护电极抑制Footing效应的工艺方案.在SOI圆片上生长SiO2和Si3N4掩模材料并图形化后,背面腐蚀支撑层Si至掩埋层SiO2.去除掩埋层SiO2后,完成正面Al电极和背面保护Al电极的溅射.深反应离子干法刻蚀SOI圆片形成结构,再腐蚀背面Al薄膜完成结构释放.基于该工艺,对结构层厚度为80μm的采用双端固支梁的SOI微加速度计的结构进行设计与仿真、器件加工和最终的性能测试.加速度计在±1 g(g=9.8 m/s2)范围内的灵敏度和非线性度分别为106.7 mV/g和0.1%.实验结果表明,该改进工艺方案可以有效抑制Footing效应对器件结构的损伤,提高加工的可靠性.; 毛旭杨振川李志宏闫桂珍; 关键词：微加速度计