闫桂珍
- 作品数：115 被引量：114H指数：7
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划甘肃省教育科学规划课题更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学机械工程更多>>
- 一种微型多功能光学器件及其制备方法
- 本发明涉及一种微型多功能光学器件及其制备方法，其特征在于：它包括固定电极、可动电极、支撑梁、锚点、玻璃衬底、光反射模块和光纤槽；所述光反射模块的头部呈三角形，正对所述反射模块的头部设置一输入光纤槽，与所述三角形光反射模块...
- 吴文刚陈庆华王子千邹积彬闫桂珍郝一龙王阳元
- 文献传递
- 一种用于微机械谐振式器件的升频驱动控制方法
- 本发明涉及一种用于微机械谐振式器件的升频驱动控制方法，1)将微机械谐振式器件中的振动拾取结构上的两个差分电极同时连接振动信号读取装置；2)在微机械谐振式器件中的驱动结构的两个差动驱动电极上施加驱动电压；3)振动信号读取装...
- 崔健闫桂珍郭中洋杨振川郝一龙
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- 一种实现共面和离面运动的微驱动结构及其制备方法
- 本发明涉及一种实现共面和离面运动的微驱动结构及其制备方法，本发明微驱动结构包括固定电极、可动电极、支撑梁、玻璃衬底、驱动输出端；所述固定电极包括连接在所述玻璃衬底顶面两侧的梳齿式固定电极和固定在所述玻璃衬底顶面中部的平板...
- 吴文刚陈庆华王子千闫桂珍郝一龙王阳元
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- 一种微电子机械系统圆片级真空封装及倒装焊方法
- 本发明涉及一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊方法，它包括如下步骤：对盖帽玻璃片进行打孔，但不打通；在盖帽玻璃片未打引线孔的一侧溅射钨(或铬)和金，并进行光刻和腐蚀，形成掩膜；用氢氟酸腐蚀玻璃腔体，同时将未穿通的引...
- 丁海涛杨振川郭中洋迟晓珠赵前程郝一龙闫桂珍
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- 高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究被引量：6
- 2003年
- 体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0～ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的DRIE (DeepReactiveIonEtching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术 ,形成了高深宽比的深电隔离槽 (宽 3.6 μm ,深 85μm)。还提出了一种改变深槽形状的方法 ,使深槽的开口变大 ,以利于多晶硅的填充 。
- 朱泳闫桂珍王成伟王阳元
- 关键词：高深宽比刻蚀技术电隔离微电子机械系统
- 新媒体时代的高中阅读教学策略
- 2019年
- 当前的高考语文试题,按照"新课标"的理念,偏重于考查学生的阅读与写作能力。"新课标"背景下的教材也是以"阅读鉴赏""表达交流""梳理探究"和"名著导读"为基本体系来编写,这些都充分体现了素质教育的要求。将高考与素质教育有机结合起来,是一个需要深入探究的课题。
- 闫桂珍
- 关键词：阅读教学策略新媒体时代高考语文试题写作能力阅读鉴赏
- 一种单片集成惯性器件工艺兼容方法
- 一种单片集成惯性器件工艺兼容方法，该工艺兼容方法用于包含离面运动器件和面内运动器件的单片多轴集成惯性器件，离面运动器件包含离面检测部分和其他部分，其特征在于，工艺加工时通过多次刻蚀在体背面形成多个背腔和不同高度的台阶，离...
- 赵前程李美杰闫桂珍
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- 一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法
- 本发明公开了一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法，其是在原有工艺步骤(6)之后，采取以下工艺步骤：(7)在硅片正面形成金属掩模层；(8)光刻定义出MEMS结构区，用腐蚀液腐蚀金属层，去除光刻胶；(9)在...
- 王佳闫桂珍杨振川范杰
- 文献传递
- 一种不等高硅结构与集成电路的单片集成加工方法
- 本发明涉及一种不等高硅结构与集成电路的单片集成加工方法，其步骤为：(1)选用包括器件层、埋氧层和衬底层的SOI基片；(2)在器件层进行集成电路加工并生成介质层；(3)对介质层第一次刻蚀形成介质层浅槽，制成高度被降低的掩模...
- 杨振川闫桂珍郝一龙
- 一种微机械梳齿电容器
- 本发明提供了一种微机械梳齿电容器，涉及微电子机械领域，所述微机械梳齿电容器包括：固定梳齿电极和可动梳齿电极，所述固定梳齿电极和可动梳齿电极交叠成解耦梳齿电容器，当所述可动梳齿电极在外力作用下，与所述固定梳齿电极相对离面运...
- 郭中洋杨振川闫桂珍
- 文献传递
