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江玉清

作品数：4 被引量：12H指数：2
供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇GA
  • 2篇电学性能
  • 2篇晶闸管
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏材料
  • 1篇气敏元件
  • 1篇热分布
  • 1篇快速晶闸管
  • 1篇复合结构
  • 1篇高斯
  • 1篇高斯分布
  • 1篇Γ-FE2O...
  • 1篇SI
  • 1篇SIO

机构

  • 4篇山东师范大学

作者

  • 4篇裴素华
  • 4篇江玉清
  • 2篇黄萍
  • 2篇张美娜
  • 2篇孙海波
  • 1篇张晓华
  • 1篇修显武
  • 1篇张华

传媒

  • 3篇稀有金属材料...
  • 1篇科技通讯（上...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Ga阶梯式深结分布特性与应用研究
2007年
利用开管扩Ga进行低浓度掺杂-长时间结深推移-浓度补偿与再分布方法形成Ga的阶梯式深结分布,用于普通晶闸管制备。实验与理论表明:J_1和J_2结附近Ga的较小浓度梯度α_j保证器件具有较高阻断耐压特性;J_3结附近Ga的浓度平缓分布,改善了器件触发参数的分散性;P_2区内Ga较高的电导率(?)和J_3结较大的注入比,同步协调和提高了器件的通态特性与动态特性。
裴素华黄萍张美娜江玉清
关键词：GA晶闸管电学性能
Ga的高斯分布对快速晶闸管电学性能的改善
2007年
利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造。由理论与实践得出:P_1,P_2区Ga的缓变分布及其与N_1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特点使磷在J_3结处得到一个较大的注入比,同时Ga在短基区获得一个足够高的(?),改善了器件的通态特性和di/dt耐量;使器件dV/dt耐量达到1000 V/μs。可见开管扩Ga是综合提高快速晶闸管器件电学性能及等级合格率的一种新途径。
裴素华黄萍张美娜江玉清
关键词：快速晶闸管电学性能
Ga在SiO_2-Si复合结构中的热分布研究被引量：5
2005年
用 H2 和 Ga_2O_3的高温反应形成元素 Ga 的恒定表面源,通过 SiO_2-Si 复合结构实现了 Ga 在 Si 中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对 P 型杂质 Ga 在 SiO_2薄膜、SiO_2-Si 两固相接触的内界面、近 Si 表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散 Ga 的实质是由 SiO_2薄膜对 Ga 原子的快速输运及其在 SiO_2-Si 内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程 Ga 杂质浓度分布机理进行了分析和讨论。
裴素华孙海波修显武张晓华江玉清
关键词：GA
γ-Fe_2O_3响应苯类气体敏感材料特性研究被引量：7
2004年
从电导控制理论,对掺钇、硫酸根离子等多元化、微结构γ-Fe2O3的热稳定性、响应苯类气体敏感性及其对相邻气体的高选择性,进行了系统研究与机理分析,并用DTA、TEM、RQ-1等方法进行表征与测量。结果表明,掺入适量Y2O3后能使γ-Fe2O3的相变温度提高到618℃,从而改善γ-Fe2O3基气敏元件的热稳定性;硫酸根离子和金离子的适量掺杂有助于提高苯类气体的敏感特性;γ-Fe2O3基体材料的微细化可增强γ-Fe2O3的表面气敏特性。从而为苯类有机气体敏感元件研制提供了一条新途径。
裴素华孙海波张华江玉清
关键词：Γ-FE2O3气敏元件气敏材料
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