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王三坡

作品数:8 被引量:29H指数:3
供职机构:复旦大学材料科学系更多>>
发文基金:上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 5篇透明导电
  • 3篇导电薄膜
  • 3篇透明导电薄膜
  • 3篇透射
  • 3篇透射率
  • 3篇溅射
  • 3篇MO薄膜
  • 2篇等离子体
  • 2篇多晶
  • 2篇亚胺
  • 2篇氧化锌
  • 2篇透明性
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇酰亚胺
  • 2篇聚酰亚胺
  • 2篇光学透明性
  • 2篇ZNO
  • 2篇
  • 2篇磁控

机构

  • 8篇复旦大学

作者

  • 8篇王三坡
  • 6篇沈杰
  • 4篇章壮健
  • 3篇吴臣国
  • 2篇吴佩璇
  • 2篇杨锡良
  • 2篇马进
  • 1篇张群

传媒

  • 3篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 5篇2008
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
直流反应磁控溅射法制备新型透明导电ZnO:Mo薄膜的研究
采用直流磁控反应溅射技术由金属镶嵌Zn/Mo靶制备高价态差掺钼氧化锌ZnO:Mo(zMO)透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。利用XRD、AFM等分析手段对薄膜进行表征与分析;制...
王三坡
关键词:透明导电薄膜透射率迁移率
文献传递
一种用于反应直流磁控溅射的锌钼金属镶嵌靶
本实用新型属于反应直流磁控溅射技术领域,具体为一种用于反应直流磁控溅射的锌钼金属镶嵌靶。在靶以直径为60mm,厚度为2-3mm锌金属圆靶为基础,在其磁溅射区内均匀对称的分布有6-24个直径为0.8-2.0mm小孔,小孔内...
沈杰王三坡章壮健
文献传递
等离子体轰击致聚酰亚胺表面亲水性研究被引量:10
2009年
等离子体轰击聚酰亚胺表面会提高挠性印制电路板中溅射铜膜与聚酰亚胺基板的附着力,同时聚酰亚胺表面亲水性随之改变。本文通过改变轰击等离子体种类、轰击电流、轰击时间和轰击气压等条件,研究这些工艺参数与聚酰亚胺表面亲水性的相互关系。在等离子体轰击处理后的聚酰亚胺上磁控溅射镀铜并电镀加厚,利用剥离强度测试仪测量铜膜与聚酰亚胺基板的附着力,并分析亲水性与附着力之间的关系。研究发现,等离子体轰击可以增强聚酰亚胺的亲水性及聚酰亚胺基板与铜膜的附着力,且亲水性越好的样品,溅射镀铜后铜膜与基板的附着力也越好,并得到了等离子体轰击参数与亲水性的关系;研究表明可以把测量亲水性作为聚酰亚胺表面等离子体轰击效果的一种评价方法。
马进吴臣国吴佩璇王三坡沈杰
关键词:等离子体表面改性聚酰亚胺亲水性
一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法
本发明属透明导电薄膜技术领域,具体为一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法。其步骤为:以锌钼金属镶嵌靶为靶材,以普通玻璃为基板,基板温度为100-300℃,通过反应直流磁控溅射法,使Ar离子束轰击靶材,将靶材溅射,溅射...
沈杰王三坡章壮健
文献传递
掺钼氧化锌透明导电薄膜光学性质研究被引量:12
2010年
采用直流磁控反应溅射制备了掺钼氧化锌透明导电薄膜。研究了掺钼氧化锌薄膜的结构、表面形貌及其光学和电学性能。原子力显微镜扫描显示薄膜表面较为平整致密。制备出的掺钼氧化锌薄膜最低电阻率为9.4×10-4Ω.cm,相应载流子迁移率为27.3cm2V-1s-1,载流子浓度为3.1×1020cm-3。在可见光区域的平均透射率大于85%,折射率(550nm)为1.853,消光系数为7.0×10-3。通过调节氧分压可以调节薄膜载流子浓度,禁带宽度随载流子浓度的增加由3.37增大到3.8eV,薄膜的载流子有效质量m*为0.33倍的电子质量。
吴臣国沈杰王三坡章壮健杨锡良
关键词:透明导电薄膜磁控溅射光学性质
一种聚酰亚胺表面等离子体轰击效果的检测方法
本发明属于挠性印制电路板技术领域,具体涉及一种聚酰亚胺表面等离子体轰击效果的检测方法。具体以等离子体放电,轰击基板架上经过洗涤剂、去离子水、分析纯酒精清洁的聚酰亚胺膜,然后用接触角测量仪测量聚酰亚胺膜上水滴的接触角并取其...
沈杰马进吴臣国王三坡吴佩璇
文献传递
新型透明导电ZnO∶Mo薄膜被引量:7
2008年
采用直流磁控反应溅射技术成功制备了新型ZnO∶Mo(ZMO)透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,薄膜的结构和光电性能与钼含量以及基片温度有关。X光衍射图谱(XRD)显示薄膜具有六角纤锌矿结构,并且在基片温度为200℃,钼含量(Mo/Zn+Mo)为1.5wt%时薄膜具有较好的c轴取向。制备出的ZMO薄膜最低电阻率为1.97×10-3Ω.cm,相应载流子迁移率达37.0 cm2V-1s-1,载流子浓度为8.57×1019cm-3,在可见光区域的平均透射率达到80%左右。
王三坡沈杰章壮健杨锡良张群
关键词:磁控溅射透射率
直流反应磁控溅射法制图新型透明导电ZnO:Mo薄膜的研究
采用直流磁控反应溅射技术由金属镶嵌Zn/Mo靶制备高价态差掺钼氧化锌ZnO:Mo(ZMO)透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。利用XRD、AFM等分析手段对薄膜进行表征与分析;制...
王三坡
关键词:透明导电薄膜
文献传递
共1页<1>
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