王志楠
- 作品数：11 被引量：14H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 超大功率L波段脉冲功率晶体管
- 1996年
- 超大功率Ｌ波段脉冲功率晶体管王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２３．４ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...
- 王因生王志楠林川王伯利康小虎张树丹
- 关键词：脉冲功率晶体管L波段大功率
- L波段150W硅脉冲功率晶体管
- 1994年
- Ｌ波段１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａｎ１５０ＷＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＴａｎＷｅｉｄｏｎｇ；Ｚｈ...
- 谭卫东张纪生王志楠张树丹王因生郑承志刘六亭康小虎
- 关键词：L波段硅脉冲功率晶体管
- L波段脉冲输出360W硅功率晶体管
- 2000年
- 王因生王志楠陈红林川张树丹
- 关键词：功率晶体管硅
- 800 MHz 800 W 固态脉冲功放组件
- 2000年
- 介绍一种大功率固态脉冲功放组件。该组件在 80 0 MHz中心频率处 ,峰值输出功率大于80 0 W,带宽 50 MHz,脉冲宽度 0 .8μs,脉冲工作比 1%。组件性能稳定 ,已用于气象雷达。
- 林川王志楠王因生
- 关键词：内匹配大功率
- 1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：1
- 2012年
- 介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。
- 王因生丁晓明蒋幼泉傅义珠王佃利王志楠盛国兴严德圣
- 关键词：硅功率管镇流电阻
- 870-1OOO MHz 360W硅微波脉冲大功率管
- 报道了L波段低端短脉宽360w硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在上述频带内，脉宽10μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于360...
- 王因生王志楠丁晓明严德胜戴学梅吕勇
- 关键词：微波晶体管结构特征技术创新
- L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管被引量：5
- 1997年
- 设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻，实现对发射极电流二次镇流，器件表现出良好的微波性能和高的可靠性。经内匹配，在L波段脉冲输出大于100W（36V），脉宽150μs，工作比10％，增益大于7．5dB，效率大于45％，器件最大输出达150W（42V）。
- 王因生林川王佃利王志楠张树丹黄仲平康小虎钟志新
- 关键词：微波功率晶体管双极晶体管多晶硅
- 脉冲功率器件直流和动态热特性探测被引量：2
- 2002年
- 介绍了针对影响微波脉冲功率器件可靠性的热性能问题,应用红外热分析技术,对比探测微波脉冲功率器件在动态和直流状态下的温度分布、峰值结温、热阻及其变化规律。
- 来萍何小琦冯敬东牛付林王因生王志楠付义珠
- 关键词：动态热特性温度特性热分析
- 微波功率芯片的亚微米工艺
- 报道一种掺砷多晶硅发射极超自对准亚微米工艺技术,特别适用于研制大面积的硅微波大功率晶体管.文中简述器件结构和工艺,同时给出器件研制的结果.
- 王因生张树丹王佃利傅义珠盛国兴桂德成丁晓明王志楠
- 关键词：亚微米工艺
- 文献传递
- L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验被引量：6
- 2011年
- 利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。
- 王因生陶有迁徐全胜金毓铨傅义珠丁晓明王志楠
- 关键词：峰值结温
