王海澎
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：云南大学更多>>
- 发文基金：南省应用基础研究计划重点项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- Au诱导形成有序Si纳米孔阵列及其应用被引量：1
- 2014年
- 以自组装聚苯乙烯小球(PS)单层膜为掩膜,利用Au对Si表面的催化氧化作用以及KOH溶液对单晶Si的各向异性腐蚀特性,在Si(100)面上制备了一系列尺寸小于100 nm有序可控的Si纳米孔阵列.扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等的测试结果显示:当PS小球溶液与甲醇溶液的体积比为9:11时,可形成大面积无缺陷的单层膜;但当体积比过大时,会导致类似双层膜结构的形成;而当体积比过小时,会诱导形成点缺陷和线缺陷.对PS小球及溅射Au处理过的Si晶片进行KOH溶液腐蚀,随着腐蚀时间变长,纳米孔的横向尺寸和深度增大,其形貌由圆形逐渐变为倒金字塔型,当腐蚀时间超过10 min,纳米孔阵列的有序性遭到破坏.采用离子束溅射技术在倒金字塔型纳米孔衬底上获得了有序Ge/Si纳米岛,而在圆形纳米孔衬底上获得了有序Ge/Si纳米环.进一步对有序Ge/Si纳米岛及纳米环的形成机理进行了解释.
- 王海澎柯少颖杨杰王茺杨宇
- 硅基底上溅射制备有序锗量子点的方法
- 本发明涉及一种在硅基底上溅射制备有序锗量子点的方法，属半导体量子材料的制备技术领域。本发明首先采用聚苯乙烯纳米球刻蚀技术在硅基底的表面制备二维有序的六角纳米坑形图案，然后利用离子束溅射技术，以高纯度氩气为工作气体，在溅射...
- 杨宇杨杰王茺邱锋王兆卿王海澎辛征航
- 文献传递
- Si基纳米孔、Ge/Si量子点阵列的制备及其性质研究
- 王海澎
