王玫
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金北京市科技新星计划教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- β-SiC薄膜的低温沉积及特性研究
- 被誉为最有潜力的宽禁带半导体材料一SiC，因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、良好的化学稳定性等优异的特性，被广泛地应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。但由于其过...
- 王玫
- 关键词：PECVDCAT-CVDΒ-SIC纳米场发射
- 文献传递
- 新型化学汽相沉积技术Cat-CVD的发展趋势
- Catalytic CVD(简称Cat-CVD)是一种不同于传统化学汽相沉积(CVD)技术的薄膜制备方法,由于具有简便低廉的特点,逐步受到人们重视.此项技术在Si系材料的制备方面已有较大进展,更表现出与其它技术结合的发展...
- 严辉王波汪浩宋雪梅王玫李建超赵谦
- 关键词：CAT-CVDSIC薄膜
- 文献传递
- SiC薄膜生长过程中的偏压作用被引量：2
- 2002年
- 采用分步偏压溅射法，在Ｓｉ（１００）衬底上制备了高质量的ＳｉＣ薄膜．傅里叶红外（ＦＴＩＲ）光谱测试表明，分步偏压法不仅有利于提高ＳｉＣ薄膜的生长速率，同时也有利于ＳｉＣ薄膜的成核生长．通过原子力显微镜（ＡＦＭ）观察到，单一偏压法制备的样品表面有许多的凹坑，而分步偏压法制备的样品表面则没有出现明显的凹坑．因此，采用分步偏压溅射法不仅可以提高薄膜的生长速率，同时也可以减小对薄膜的离子刻蚀作用，改善薄膜的质量．
- 王玫谭利文王波邹云娟严辉姚振宇
- 关键词：SIC碳化硅薄膜生长
- C60薄膜的结构和特性研究
- C是碳的一种新的同素异形体,具有高度对称的结构和独特的物理化学性质,引起了广大科学工作者的极大兴趣.本文报道有关C薄膜及相关衍生物薄膜材料的制备与特性的研究结果,并进一步探讨主要的发展趋势.
- 王波邹云娟王玫陈光华严辉
- 关键词：掺杂光电特性
- 文献传递
- 纳米碳化硅（SiC）薄膜结构与溅射参数的关系
- 本实验采用射频磁控溅射方法,在高阻单晶Si（100）衬底上制备出了纳米SiC薄膜。采用高分辨原子力显微镜（AFM）,观察到在合适条件下沉积的SiC薄膜是由纳米尺寸的SiC晶粒构成,这与红外光谱（FTIR）的结果相吻合。改...
- 王玫黄安平张德学宋雪梅王波严辉廖波
- 关键词：纳米SIC薄膜FTIRAFM
- 文献传递
- 射频功率对SiC薄膜防氚渗透性能的影响
- 本文采用偏压辅助射频溅射法,在高阻单晶硅(100)和316L不锈钢双面杯衬底上沉积SiC薄膜,研究了射频功率对SiC薄膜防氚渗透性能的影响.在不同射频功率下制备SiC薄膜,并测试了SiC薄膜的傅立叶红外光谱(FTIR)、...
- 谭利文王玫王波宋雪梅陈光华严辉姚振宇
- 关键词：SIC薄膜射频
- 文献传递
- 磁控溅射碳化硅薄膜的结构研究
- 本文采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备出了高质量的碳化硅(SiC)薄膜。主要研究了溅射参数对沉积SiC薄膜结构的影响,探索了SiC薄膜的最佳制备条件.傅立叶红外(FTIR)光谱测试表明在优化的参数条件下,采用...
- 王玫黄安平宋雪梅朱满康汪浩王波严辉姚振宇
- 关键词：磁控溅射Β-SICFTIR
- 文献传递
- 溅射气压和沉积时间对c-BN薄膜结构的影响被引量：6
- 2002年
- 采用磁控反应溅射方法，在Ｓｉ（１００）衬底上沉积ｃＢＮ薄膜，研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响。结果表明，随溅射气压的升高或沉积时间的增加，都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果，并导致薄膜中ｃＢＮ相含量的减小。
- 王波王玫张德学黄安平宋雪梅邹云娟严辉
- 关键词：立方氮化硼红外光谱溅射气压
- BN薄膜的高温诱导取向生长
- 本文利用感应耦合式等离子体化学气相沉积(PECVD)在Si(100)衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷(BH)和氮气(N),控制一定的分压比和工作气压,射频功率为100W,衬底温度在500℃到1000℃之间变化.主要研究...
- 王玫张德学黄安平王如志李健超王波严辉
- 关键词：氮化硼
- 文献传递
