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王玫

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京电力电子新技术研究开发中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇晶体管
  • 1篇功率MOSF...
  • 1篇功率晶体管
  • 1篇MOSFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应器件

机构

  • 1篇北京电力电子...

作者

  • 1篇王正元
  • 1篇赵忠礼
  • 1篇王玫

传媒

  • 1篇世界电子元器...

年份

  • 1篇1997
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
功率MOSFET的新进展
1997年
一、MOSFET发展回顾 功率MOS场效应管相对于双极功率晶体管的优点,已为世人熟知,已被许多用户接受。十年来世界晶体管市场,功率MOS管的份额,已从5％升至49.5％,本世纪末将占优势已成定局。
赵忠礼王玫王正元
关键词：功率晶体管MOSFET场效应器件
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共1页<1>
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