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文献类型

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领域

  • 5篇理学

主题

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  • 1篇布里奇曼法

机构

  • 5篇四川大学

作者

  • 5篇陈宝军
  • 5篇朱世富
  • 5篇赵北君
  • 5篇龙勇
  • 5篇万书权
  • 5篇王莹
  • 3篇何知宇
  • 1篇许建华
  • 1篇赵国栋

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇第15届全国...

年份

  • 2篇2010
  • 3篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
AgGa1-xInxSe2晶体器件的定向加工
AgGa1-xInxSe2晶体是一种性能优异的中远红外非线性光学晶体,黄铜矿结构,42m点群。AgGa1-xInxSe2晶体非线性系数大,随X的不同,非线性光学系数d36在392.4pm/V之间变化。AgGa1-xInx...
龙勇赵北君朱世富何知宇陈宝军万书权王莹
文献传递
AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的定向加工被引量:3
2010年
报道了一种AgGa1-xInxSe2晶体定向加工的新方法,即根据AgGa1-xInxSe2晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射仪,快速寻找AgGa1-xInxSe2晶体通光面并进行回摆精修的器件加工新方法。运用该方法,针对改进垂直Bridgman法自发成核生长的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体光参量振荡(OPO)器件,其相位匹配角θm=54.71°、方位角φ=45°,元件尺寸达8mm×8mm×18mm。新方法不仅定向准确、操作简便,而且可以应用于不同In含量的系列AgGa1-xInxSe2晶体定向加工。
龙勇赵北君朱世富何知宇陈宝军万书权王莹许建华
关键词:X射线衍射分析
硒铟镓银单晶体(112)面蚀坑形貌观察被引量:3
2010年
研究出一种能在室温下对AgGa0.8In0.2Se2晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,提出了一种适合AgGa0.8In0.2Se2晶体择优腐蚀的新工艺。采用改进的Bridgman法生长出AgGa0.8In0.2Se2晶体,对晶体进行定向切割出(112)面晶片;然后对晶片进行研磨、机械抛光,使其表面平整无划痕;再将晶片用新腐蚀液,浓HNO3(65%~68%)∶浓HCl(35%~38%)=1∶2.5(体积比),在室温下腐蚀5min,同时进行超声振荡。采用金相显微镜对腐蚀后的晶片表面进行观察,发现清晰的蚀坑形貌,形状近似为正三角形,并对(112)面蚀坑的形成及其形貌成因进行了理论分析。
王莹朱世富赵北君陈宝军何知宇万书权龙勇
AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的生长习性研究被引量:1
2009年
采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试。结果表明:随着x值的增加其过冷度增大。采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测。发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面。研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20mm×60mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体。
赵国栋朱世富赵北君万书权陈宝军何知宇王莹龙勇
关键词:晶体生长布里奇曼法生长习性
硒铟镓银晶体(112)面蚀坑形貌观察
硒铟镓银(AgGa1-xInxSe2)晶体属于黄铜矿结构,42m点群,是一种性能优异的中红外非线性光学晶体。AgGa1-xInxSe2晶体的显著特点是其机械性能、热学性能以及双折射等都可随x的改变而变化。然而晶体中的缺陷...
王莹朱世富赵北君陈宝军何知宇万书权龙勇
文献传递
共1页<1>
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