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柳江

作品数：43 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 14篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...

主题

  • 23篇晶体管
  • 22篇有机场效应晶...
  • 22篇晶体
  • 22篇场效应
  • 22篇场效应晶体管
  • 19篇有机半导体
  • 19篇半导体
  • 14篇电极
  • 14篇有机半导体材...
  • 14篇半导体材料
  • 12篇真空蒸镀
  • 10篇存储器
  • 9篇电路
  • 8篇光刻
  • 8篇光刻工艺
  • 7篇硅基
  • 7篇硅基底
  • 6篇有源层
  • 5篇沟道
  • 4篇底电极

机构

  • 43篇中国科学院微...
  • 1篇兰州大学

作者

  • 43篇刘明
  • 43篇柳江
  • 31篇刘舸
  • 31篇商立伟
  • 29篇王宏
  • 29篇刘兴华
  • 9篇姬濯宇
  • 6篇王琴
  • 4篇陈宝钦
  • 2篇张森
  • 2篇涂德钰
  • 2篇刘琦
  • 2篇余兆安
  • 2篇刘光华
  • 2篇龙世兵
  • 1篇彭应全

传媒

  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 3篇2013
  • 6篇2012
  • 13篇2011
  • 20篇2010
  • 1篇2009
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种存储器读出电路以及存储器
本发明涉及一种存储器读出电路以及存储器，属于集成电路设计技术领域。所述读出电路包括电流镜，与电流镜并联相连的预充电路，与并联相连的电流镜和预充电路串联相连的钳位电路，与钳位电路串联相连的Y译码通道，与Y译码通道串联相连的...
王琴柳江刘明
一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到T形沟道的底电极胶图形；在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
文献传递
一种制备过孔的方法
本发明公开了一种制备过孔的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；电子束蒸发过孔金...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
一种降低存储器读干扰的电路及方法
本发明公开了一种降低存储器读干扰的电路及方法。该电路包括全局字线、本地字线、存储块、存储子块、位线译码电路、高压切换电路和译码开关。该方法对字线采用两级译码技术，将传统存储块划分成块和子块，在编程和擦除时，存储器对整个块...
王琴柳江刘明
一种在LEdit中绘制矢量字符的方法
本发明公开了一种在LEdit中绘制矢量字符的方法，该方法包括：获取用户绘图的位置和系统信息，并将获取的信息转换成逻辑坐标信息；获取用户需要绘制的字符信息，将该字符信息映射到逻辑内存中转换成位图信息；在逻辑内存中获取该位图...
刘明柳江姬濯宇陈宝钦
一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法，包括：清洗干净柔性塑料衬底；使用光刻和剥离工艺在塑料衬底上制备出器件的栅电极；在器件区域内通过接触式微区旋涂在栅电极上涂敷有机栅介质；烘烤有机栅介质，在有机栅介质上光刻...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法，通过在有机材料蒸镀生长之前先在栅介质上通过常规光刻和剥离的工艺淀积一薄层叉形金属底电极线条，金属线条平行排列；蒸镀有机半导体材料后再在金属线条两边通过漏板蒸镀源...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
文献传递
一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：步骤1、在绝缘基底表面涂上光刻胶；步骤2、对涂光刻胶的绝缘基底进行光刻，得到栅介质图形；步骤3、在栅介质图形上生长一层栅介质薄膜；步骤4、剥离得到栅介质图形...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
文献传递
阻变存储器的检测电路及检测设备
本发明公开了一种阻变存储器的检测电路及检测设备。检测电路为：设置字线的电压为预定的读取电压并检测阻变存储器中流动的电流值，在合理的选择取样电阻后，通过比较读取电压和取样电阻上的电压，从而读出存储器中的数据。检测设备包括：...
柳江刘明姬濯宇涂德钰刘兴华商立伟刘舸王宏
文献传递
一种对上电极进行费米能级修饰的方法
本发明公开了一种对上电极进行费米能级修饰的方法，该方法包括：步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤3、在有机半导体材料上通过漏版用电子束蒸发蒸镀一层金属...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
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