韩彦军
- 作品数：138 被引量：385H指数：9
- 供职机构：清华大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 三维光学系统的实现方法
- 本发明提出了一种三维光学系统的实现方法，包括：建立光源和目标光分布之间的映射关系；根据光学系统表面上任意一个初始点获得所述光学系统表面的所有特征点的法线矢量和坐标以确定光学系统的初始三维模型；对所述初始三维模型的照明效果...
- 罗毅毛祥龙李洪涛韩彦军
- 文献传递
- InGaN量子点红光Micro-LED研究
- 2021年
- 微型发光二极管被认为是下一代显示技术,但到目前为止,主流AlGaInP红光器件的微型化仍然存在瓶颈。InGaN量子点技术由于其独特的自组装生长机制,拥有较好的晶体质量、较高的In组分并入效率,对刻蚀损伤的耐受能力也更强,是提升红光微型发光二极管性能的极具潜力的技术路线。通过使用渐变组分超晶格与掺杂蓝光量子阱的复合结构作为预应变层,拓展了InGaN量子点样品的发光波长,获得了芯片尺寸20~100μm的微型发光二极管器件,其峰值波长和外量子效率随电流密度的变化跟尺寸的依赖关系不明显。40~100μm的微型发光二极管在<1 A/cm^(2)的小注入电流密度下发光峰值波长在610~650 nm,验证了量子点技术作为红光微型发光二极管潜在技术路线的优势。
- 余鹿鸣汪莱汪莱杨沛珑王磊余佳东罗毅郝智彪熊兵韩彦军罗毅李洪涛
- 关键词：超晶格氮化镓铟镓氮MOCVD
- 多光束表面发射波导相控阵
- 本公开提供一种多光束表面发射波导相控阵，包括：输入波导、分束器、一维相位调制器阵列、分束器阵列、波导阵列以及光栅辐射天线阵列，其中一维相位调制器阵列中的各相位调制器分别与所述分束器各出光路相连，对由分束器输出的光进行相位...
- 郝智彪刘雅琦汪莱熊兵孙长征王健李洪涛韩彦军罗毅
- 文献传递
- 半导体照明装置
- 本发明提供一种半导体照明装置，包括：壳体结构和LED光源，所述LED光源固定于所述壳体结构，所述壳体结构包括反射面，所述反射面为类朗伯型反射面，所述LED光源的出光方向指向所述反射面的至少一部分，所述LED光源在所述反射...
- 罗毅韩彦军
- 热退火对Mg掺杂InGaN/GaN异质结特性的影响
- 2007年
- 系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN/GaN异质结电学特性及光学性能的影响。电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触。分析认为InGaN具有的较小带隙能量和p-InGaN/GaN异质结中存在强烈的极化效应以及InN较高的平衡蒸汽压是引起以上结果的主要原因。p-InGaN/GaN异质结10 K的光致荧光光谱中存在两个分别位于2.95eV和2.25 eV的发光峰,随着材料退火温度的提高,这两个发光峰的强度逐渐降低。提出了类施主补偿中心参与的与H相关的络合物与Mg受主的复合发光机制,对退火前后光致荧光光谱的变化进行了解释。
- 刘中涛韩彦军张贤鹏薛小琳陈栋汪莱罗毅
- 关键词：退火光致荧光欧姆接触
- 基于LED的直下式动态LCD背光源被引量：4
- 2008年
- 对液晶显示来说,与静态背光源相比,直下式动态背光源具有多种优点。提出了一种基于LED的直下式动态背光源结构,将单个LED发出的光投射区域限制在散光膜的单一区域,即每个LED只负责液晶部分区域的背光照明。基于该结构,对240mm×180mm尺寸的背光源仿真结果进行了理论分析,结果表明其亮度均匀度达到93.1%,ΔU′V′小至0.003545,完全满足背光源应用要求。
- 刘佳尧钱可元韩彦军罗毅
- 关键词：背光源LED
- Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N的非选择性刻蚀被引量：6
- 2004年
- 利用Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al_(0.28)Ga_(0.72)N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面物理特性进行了研究。实验表明,优化等离子体中BCl_3的含量(20％～60％),提高ICP功率和直流偏压,降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀.而GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系。在Cl_2/Ar(4:1)中加入20％BCl_3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al_(0.28)Ga_(0.72)N之间的非选择性刻蚀,并将GaN/Al_(0.28)Ga_(0.720N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm,优于未刻蚀的GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面,AES分析表明,在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的。
- 韩彦军薛松吴桐吴震郭文平罗毅郝智彪孙长征
- 关键词：ALGANICP感应耦合等离子体III-V族氮化物
- 高校本科实验教学与科研相结合的实践被引量：23
- 2010年
- 创新型人才必须在实践工作中培养,高校特别是研究型大学,要以科研促教学,提高实践教学水平,在实践中培养学生的创新思维和创新能力。文章介绍了清华大学电子工程系一系列加强本科生实验教学的举措。
- 扈旻房丹韩彦军
- 关键词：创新型人才实验教学
- 一种激光发射装置、激光雷达探测装置及方法
- 本发明提供一种激光发射装置、激光雷达探测装置及方法，所述激光发射装置包括：发射光学系统、相位预控制器和二维达曼光栅分束器；发射光学系统，用于对激光进行准直扩束；相位预控制器，用于对经过准直扩束之后的激光进行相位预调；二维...
- 郝智彪刘雅琦汪莱熊兵孙长征王健李洪涛韩彦军罗毅
- 文献传递
- 石墨烯上GaN的MBE生长研究
- N基半导体材料是直接带隙半导体且禁带宽度从紫外波段到红外波段连续可调,因而被广泛应用于制作发光二极管和激光器等方面.一般商品化的GaN基LED是通过金属有机物化学气相沉积(Metal-organic Chemical v...
- 余佳东吴超罗毅郝智彪王健汪莱鄂炎雄孙长征韩彦军熊兵李洪涛
- 关键词：氮化镓石墨烯分子束外延生长晶体质量
