高云龙
- 作品数：28 被引量：75H指数：5
- 供职机构：集美大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电气工程理学一般工业技术更多>>
- 低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法
- 本发明涉及集成电路器件技术领域，设计/研究具体为低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法，本发明的MgO纳米线RRAM设计具有纳米线结构MgO阻变层，纳米线使MgO带隙提高而更有效抑制漏电流，纳米线结构使得R...
- 潘金艳高云龙李明逵李铁军黄辉祥袁占生韦素芬
- 文献传递
- 基于多种群粒子群算法和布谷鸟搜索的联合寻优算法被引量：39
- 2016年
- 为了提高动态多种群粒子群(DMS-PSO)算法的全局搜索能力,将布谷鸟搜索算法(CS)引入DMS-PSO算法中,提出DMS-PSO-CS算法.采用中位数聚类算法将整个种群动态划分为若干小种群,各个小种群作为底层种群通过PSO算法进行寻优,再将每个小种群中的最优粒子作为高层种群的粒子通过CS算法进行深度优化.将所提出算法应用于CEC 2014测试函数,并与CS算法和其他改进的PSO算法进行比较.实验结果表明,所提出算法能够显著提高全局搜索能力和算法效率.
- 高云龙闫鹏
- 关键词：粒子群算法动态多种群
- 一种太阳能耦合生物质能的热氢联产系统及方法
- 本发明公开一种太阳能耦合生物质能的热氢联产系统及方法，系统包括微波反应器、生物质气化炉、燃烧反应器、空气预热器、催化重整反应器、光热介质储能系统、CO<Sub>2</Sub>分离装置和活性炭制备装置。采用微波烘焙预处理、...
- 邹立赵钦新邓世丰董凯邵怀爽梁志远高云龙
- 一种阻变存储器
- 本发明公开一种阻变存储器。本发明提供的阻变存储器包括：底电极、MgO纳米线、碳纳米管电极和顶电极。其中，多根MgO纳米线位于底电极的上表面，每一MgO纳米线的顶端与一个碳纳米管的底端直接接触，形成异质结接触；各个碳纳米管...
- 潘金艳高云龙李明逵黄辉祥李铁军高朋
- 文献传递
- 掺杂调控阻变性能的阻变存储器、制备方法及分析方法
- 本发明公开了一种掺杂调控阻变性能的阻变存储器、制备方法及分析方法，涉及阻变存储器技术领域，该阻变存储器自下至上依次包括底电极、阻变层和顶电极；阻变层为一定密度的掺杂粒子组成的HfO<Sub>2</Sub>薄膜；掺杂粒子为...
- 潘金艳贺宏扬李铁军高云龙林于翔王乐言杨淑雅林向钰婕
- QoS约束下频谱的分配与优化
- 随着通信网络和电子设备等的发展对高速可靠的通讯性能和有限的频谱资源提出了更高的要求。虽然多输入多输出天线系统已经展现出了它在衰落信道中提供可靠传输的能力,但是由于成本和硬件设备的限制,对于单天线设备来说,多变量控制系统是...
- 高云龙
- 关键词：频谱资源频谱利用率
- 一种具有超高开关比的阻变存储器
- 本发明涉及微电子技术领域，具体公开了一种具有超高开关比的HfO<Sub>2</Sub>基阻变存储器及其制备方法。本发明提供的阻变存储器依次层叠结构设置的衬底、Pt底电极、HfO<Sub>2</Sub>薄膜阻变层，Ag顶电...
- 潘金艳贺宏杨何若彤高云龙李铁军谢伦博王祯平钟莹莹
- 一种阻变存储器
- 本发明公开一种阻变存储器。本发明提供的阻变存储器包括：底电极、MgO纳米线、碳纳米管电极和顶电极。其中，多根MgO纳米线位于底电极的上表面，每一MgO纳米线的顶端与一个碳纳米管的底端直接接触，形成异质结接触；各个碳纳米管...
- 潘金艳高云龙李明逵黄辉祥李铁军高朋
- 文献传递
- 基于判别正则化局部保留投影的图像数据降维方法及系统
- 本发明公开了一种基于判别正则化局部保留投影的图像数据降维方法及系统。该方法包括：获取样本图像；将样本图像切割为样本向量，对各样本向量进行L2范数归一化处理，得到处理后的样本向量x<Sub>i</Sub>；确定第一相似性矩...
- 高云龙潘金艳陈福兴
- 文献传递
- 基于铟锡氧化物/Ti复合电极的高亮度碳纳米管场致发射冷阴极被引量：2
- 2010年
- 通过制作亲碳性铟锡氧化物(ITO)/Ti复合电极,改善移植型碳纳米管(CNT)冷阴极的导电电极与CNT膜层之间附着性能,从而消除CNT与电极间的界面势垒和非欧姆接触对CNT阴极场发射均匀性和稳定性的影响.采用磁控溅射技术和丝网印刷工艺制作了ITO/Ti基CNT阴极.用X射线衍射仪和场致发射扫描电子显微镜表征CNT阴极结构,结果显示热处理后的ITO/Ti基CNT阴极中可能有TiC相生成,从而使得导电电极与CNT形成有中间物的强作用体系.该体系降低甚至消除电极与CNT之间的界面势垒,增加了CNT与电极间形成欧姆接触的概率.用四探针技术分析电阻率,结果表明ITO/Ti复合电极具有电阻并联效果,CNT阴极导电性能提高.场致发射特性测试表明ITO/Ti基CNT阴极的场致发射电流达到384μA/cm2,较普通ITO基CNT阴极的场致发射电流有显著提高,能够激发测试阳极发出均匀、稳定的高亮度荧光.制作ITO/Ti复合电极是实现场致发射稳定、均匀的低功耗CNT阴极的有效途径.
- 潘金艳张文彦高云龙
- 关键词：碳纳米管冷阴极场致发射
