2024年8月31日
星期六
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
黄辉祥
作品数:
10
被引量:0
H指数:0
供职机构:
集美大学
更多>>
相关领域:
自动化与计算机技术
一般工业技术
电子电信
更多>>
合作作者
李铁军
集美大学
韦素芬
集美大学
高云龙
集美大学
袁占生
集美大学信息工程学院电子科学与...
潘金艳
集美大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
9篇
专利
1篇
期刊文章
领域
2篇
自动化与计算...
1篇
电子电信
1篇
一般工业技术
主题
4篇
漏电
4篇
漏电流
3篇
电路
3篇
集成电路
2篇
底电极
2篇
电流
2篇
电流特性
2篇
短沟效应
2篇
太赫兹
2篇
太赫兹光谱
2篇
自适
2篇
自适应
2篇
自适应小波
2篇
阈值
2篇
阈值电压
2篇
阈值电压解析...
2篇
阈值函数
2篇
阈值选取
2篇
小波
2篇
小波基
机构
10篇
集美大学
作者
10篇
黄辉祥
6篇
李铁军
5篇
韦素芬
4篇
潘金艳
4篇
袁占生
4篇
高云龙
3篇
耿莉
2篇
黄鹏飞
2篇
邵桂芳
2篇
陈金海
2篇
吴一亮
2篇
邵志标
2篇
张国和
1篇
郑佳春
1篇
邱邑亮
1篇
唐凯
1篇
徐文斌
传媒
1篇
电子世界
年份
1篇
2021
2篇
2020
2篇
2019
2篇
2018
1篇
2016
2篇
2015
共
10
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种体接电位PD‑SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法
本发明一种计算硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。考虑短沟效应的影响,采用分离变量的思想方法,将硅膜全耗尽并弱反型情况下耗尽区的电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电...
韦素芬
黄辉祥
张国和
邵志标
耿莉
文献传递
一种阻变存储器
本发明公开一种阻变存储器。本发明提供的阻变存储器包括:底电极、MgO纳米线、碳纳米管电极和顶电极。其中,多根MgO纳米线位于底电极的上表面,每一MgO纳米线的顶端与一个碳纳米管的底端直接接触,形成异质结接触;各个碳纳米管...
潘金艳
高云龙
李明逵
黄辉祥
李铁军
高朋
文献传递
集成电路设计大赛缓解高校青年教师教学与科研矛盾
2015年
针对近年来国内高校微电子专业新进青年教师的教学与科研矛盾,提出以集成电路设计竞赛为手段,打破传统思维习惯,帮助青年教师化解教学与科研双重压力。依托教学内容和科研课题,以解决实际问题为出发点参与集成电路设计大赛,既能提高教学效果,又能促进科研工作。同时对高校的工科专业也有一定的借鉴意义。
黄辉祥
袁占生
吴一亮
关键词:
集成电路设计
教学改革
青年教师
低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法
本发明涉及集成电路器件技术领域,设计/研究具体为低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法,本发明的MgO纳米线RRAM设计具有纳米线结构MgO阻变层,纳米线使MgO带隙提高而更有效抑制漏电流,纳米线结构使得R...
潘金艳
高云龙
李明逵
李铁军
黄辉祥
袁占生
韦素芬
文献传递
一种阻变存储器
本发明公开一种阻变存储器。本发明提供的阻变存储器包括:底电极、MgO纳米线、碳纳米管电极和顶电极。其中,多根MgO纳米线位于底电极的上表面,每一MgO纳米线的顶端与一个碳纳米管的底端直接接触,形成异质结接触;各个碳纳米管...
潘金艳
高云龙
李明逵
黄辉祥
李铁军
高朋
文献传递
一种改进型自适应小波太赫兹图像去噪方法
本发明涉及一种改进型自适应小波太赫兹图像去噪方法,包括以下步骤:输入待去噪的原始太赫兹图像;将原始太赫兹图像进行像元区分;对像元进行模糊C均值方法聚类,原始太赫兹图像分成五个部分;计算五个部分的各自平均纹理值,将每个部分...
李铁军
陈金海
梅强
黄辉祥
黄鹏飞
陆欣泽
邵桂芳
低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法
本发明涉及集成电路器件技术领域,设计/研究具体为低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法,本发明的MgO纳米线RRAM设计具有纳米线结构MgO阻变层,纳米线使MgO带隙提高而更有效抑制漏电流,纳米线结构使得R...
潘金艳
高云龙
李明逵
李铁军
黄辉祥
袁占生
韦素芬
文献传递
一种抗单粒子瞬态加固SOI器件及其制备方法
本发明涉及微电子技术领域。本发明公开了一种抗单粒子瞬态加固SOI器件,包括衬底、埋氧层、半导体体区、漏区、源区、栅区、栅侧墙、LDD区和重掺杂的源延伸区,所述埋氧层位于衬底之上,所述半导体体区、源区和漏区位于埋氧层之上,...
黄辉祥
耿莉
韦素芬
唐凯
袁占生
徐文斌
吴一亮
邱邑亮
郑佳春
文献传递
一种改进型自适应小波太赫兹图像去噪方法
本发明涉及一种改进型自适应小波太赫兹图像去噪方法,包括以下步骤:输入待去噪的原始太赫兹图像;将原始太赫兹图像进行像元区分;对像元进行模糊C均值方法聚类,原始太赫兹图像分成五个部分;计算五个部分的各自平均纹理值,将每个部分...
黄辉祥
陈金海
梅强
李铁军
黄鹏飞
陆欣泽
邵桂芳
文献传递
一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法
本发明一种计算硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。考虑短沟效应的影响,采用分离变量的思想方法,将硅膜全耗尽并弱反型情况下耗尽区的电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电...
韦素芬
黄辉祥
张国和
邵志标
耿莉
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张