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  • 4篇电气工程

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机构

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作者

  • 4篇高伟
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  • 2篇许军
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  • 1篇王帅
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  • 1篇马荣凯
  • 1篇刘海港
  • 1篇穆杰
  • 1篇刘长喜
  • 1篇高慧

传媒

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  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
含有布拉格反射器的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量:2
2014年
通过数学方法,对中心波长为880 nm的布拉格反射器进行了理论计算和设计。采用MOCVD技术在Ge衬底上外延生长了15个周期,中心波长为880 nm的AlAs/GaAs结构的布拉格反射器,并且成功植入到GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池中,使中间电池减薄到1.5μm,并且在AM0光谱下电池效率达到29.36%。
高伟高慧许军张宝刘长喜王保民穆杰
关键词:布拉格反射器太阳电池中心波长反射率
超过30%光电转换效率应变平衡量子阱结构GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池
采用MOCVD技术制备的具有周期应变平衡量子阱结构的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池在标准AMO条件下光电转换效率超过30%。量子阱结构很好的改善了中间电池的光谱响应,解决了顶电池与中间电池的电流匹配问题,从而...
高伟张宝王保民孙强马荣凯刘杨
关键词:量子阱结构太阳电池光谱响应光电转换效率
文献传递
外延层剥离技术(ELO)制备GaAs薄膜太阳电池被引量:1
2008年
通过外延层剥离技术获得GaAs薄膜太阳电池样品,实验对比了正向和反向外延结构方法,解释了现有技术条件下,采用新颖的反向外延结构制备GaAs薄膜太阳电池的原因。对样品进行了光电转换性能测试,并对实验结果进行了讨论。
许军刘海港王帅高伟孙强
关键词:MOCVD技术
超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量:3
2014年
通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。
高伟张宝薛超高鹏王保民
关键词:MOCVD技术GAINPGAINAS
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