高伟
- 作品数:4 被引量:6H指数:2
- 供职机构:中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
- 相关领域:电气工程更多>>
- 含有布拉格反射器的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量:2
- 2014年
- 通过数学方法,对中心波长为880 nm的布拉格反射器进行了理论计算和设计。采用MOCVD技术在Ge衬底上外延生长了15个周期,中心波长为880 nm的AlAs/GaAs结构的布拉格反射器,并且成功植入到GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池中,使中间电池减薄到1.5μm,并且在AM0光谱下电池效率达到29.36%。
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- 关键词:布拉格反射器太阳电池中心波长反射率
- 超过30%光电转换效率应变平衡量子阱结构GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池
- 采用MOCVD技术制备的具有周期应变平衡量子阱结构的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池在标准AMO条件下光电转换效率超过30%。量子阱结构很好的改善了中间电池的光谱响应,解决了顶电池与中间电池的电流匹配问题,从而...
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- 关键词:量子阱结构太阳电池光谱响应光电转换效率
- 文献传递
- 外延层剥离技术(ELO)制备GaAs薄膜太阳电池被引量:1
- 2008年
- 通过外延层剥离技术获得GaAs薄膜太阳电池样品,实验对比了正向和反向外延结构方法,解释了现有技术条件下,采用新颖的反向外延结构制备GaAs薄膜太阳电池的原因。对样品进行了光电转换性能测试,并对实验结果进行了讨论。
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- 关键词:MOCVD技术
- 超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量:3
- 2014年
- 通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。
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- 关键词:MOCVD技术GAINPGAINAS