张宝
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- Ⅲ-Ⅴ化合物半导体太阳电池的最新研究进展被引量：4
- 2009年
- 介绍了晶格失配和反向生长等新技术及量子阱等新材料在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体太阳电池方面的研究进展,探讨了相关的技术发展概况和技术难点,并就未来的发展趋势进行了展望。
- 刘如彬王帅张宝孙强孙彦铮
- 关键词：晶格失配太阳电池
- 超过30％光电转换效率应变平衡量子阱结构GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池
- 采用MOCVD技术制备的具有周期应变平衡量子阱结构的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池在标准AMO条件下光电转换效率超过30％。量子阱结构很好的改善了中间电池的光谱响应，解决了顶电池与中间电池的电流匹配问题，从而...
- 高伟张宝王保民孙强马荣凯刘杨
- 关键词：量子阱结构太阳电池光谱响应光电转换效率
- 文献传递
- 含有布拉格反射器的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量：2
- 2014年
- 通过数学方法,对中心波长为880 nm的布拉格反射器进行了理论计算和设计。采用MOCVD技术在Ge衬底上外延生长了15个周期,中心波长为880 nm的AlAs/GaAs结构的布拉格反射器,并且成功植入到GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池中,使中间电池减薄到1.5μm,并且在AM0光谱下电池效率达到29.36%。
- 高伟高慧许军张宝刘长喜王保民穆杰
- 关键词：布拉格反射器太阳电池中心波长反射率
- 超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量：3
- 2014年
- 通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。
- 高伟张宝薛超高鹏王保民
- 关键词：MOCVD技术GAINPGAINAS
