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杨远程

作品数：35 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 11篇电路
  • 11篇集成电路
  • 11篇沟道
  • 10篇晶体管
  • 10篇刻蚀
  • 9篇刻蚀损伤
  • 9篇大规模集成电...
  • 8篇淀积
  • 7篇体硅
  • 7篇超大规模集成
  • 7篇超大规模集成...
  • 6篇电阻
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米线
  • 6篇金属栅
  • 6篇感器
  • 6篇半导体
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇线条

机构

  • 35篇北京大学

作者

  • 35篇杨远程
  • 34篇黄如
  • 34篇黎明
  • 19篇陈珙
  • 18篇樊捷闻
  • 13篇张昊
  • 2篇李佳

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 7篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 11篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置
本发明涉及一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置，装置包括：显微镜、多个光纤传感器以及后端处理设备，将光纤传感器的光纤探头置于Fin线条侧墙同一侧，光纤探头和Fin表面距离在准直光纤临界距离内发射入射光；收集...
黄如李佳黎明樊捷闻杨远程宣浩然
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制备准SOI源漏多栅器件的方法
本发明公开一种制备准SOI源漏多栅器件的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域，所述方法依次包括如下步骤：在第一半导体衬底上形成Fin条形状的有源区；形成STI隔离层；淀积栅介质层和栅材料层，形成栅叠层结构；形成源漏延伸...
黄如樊捷闻黎明杨远程宣浩然
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制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法
本发明公开一种制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法，包括如下步骤：形成器件的有源区；形成器件的栅叠层结构；形成源漏延伸区的掺杂，并在栅叠层两侧形成第一层侧墙；形成凹陷的源漏结构；形成准SOI源漏隔离层；原位掺杂外延第二...
黄如樊捷闻黎明杨远程宣浩然
一种垂直沟道的纳米线生物传感器的集成方法
本发明提供一种垂直沟道纳米线生物传感器的集成方法，属于半导体制造技术领域。该方法结合刻蚀通孔、外延沟道、各向同性去除假栅层以实现垂直沟道的纳米线生物传感器的集成。本发明与传统的水平沟道结构相比，生物分子在溶液中进行布朗运...
黎明陈珙杨远程黄如
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一种金字塔形阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种金字塔形阻变存储器及其制备方法，属于氧空位型阻变存储器领域。本发明通过采用将金字塔形尖端底电极的电场增强作用，加速氧空位在阻变介质中的迁移，控制导电细丝生长的位置和形状，与现有的平面型阻变存储器相比，该结...
黎明李小康张宝通杨远程黄如
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一种鞘层沟道结构的垂直纳米线器件及其制备方法
本发明公布了一种鞘层沟道结构的垂直纳米线器件及其制备方法，结合刻蚀通孔、淀积沟道材料、填充二氧化硅，获得集成的鞘层沟道结构垂直纳米线器件；包括：提供一半导体衬底，实现器件隔离；形成重掺杂的下有源区；淀积假栅叠层；通过刻蚀...
黎明陈珙杨远程黄如
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一种空气侧墙结构的垂直纳米线器件的集成方法
本发明提供一种空气侧墙结构的垂直纳米线器件的集成方法，该方法结合刻蚀通孔、外延沟道材料的集成，制备了上有源区空气侧墙结构。与传统的二氧化硅或氮化硅侧墙结构相比，由于空气的相对介电常数为1，可以极大地减小栅极与上有源区之间...
黎明陈珙杨远程黄如
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一种超薄硅化物的制备方法
本发明公开了一种超薄硅化物的制备方法。本方法为：1)在硅衬底上制备插入阻挡层；2)在制备的阻挡层上制备一金属层；3)对步骤2)得到的结构进行退火，使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物；4)去除多余的...
黎明陈珙杨远程张昊樊捷闻黄如
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一种制备多层超细硅线条的方法
一种制备多层超细硅线条的方法，包括：制备硅的腐蚀掩蔽层；外延形成Fin及其两端的源漏区；形成多层超细硅线条。本发明的优点如下：原子层淀积可准确定义超细线条的位置，可控性好；对硅的各向异性腐蚀是自停止的，工艺窗口大，腐蚀所...
黎明杨远程樊捷闻宣浩然张昊黄如
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制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法
本发明公开一种制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法，包括如下步骤：形成器件的有源区；形成器件的栅叠层结构；形成源漏延伸区的掺杂，并在栅叠层两侧形成第一层侧墙；形成凹陷的源漏结构；形成准SOI源漏隔离层；原位掺杂外延第二...
黄如樊捷闻黎明杨远程宣浩然
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