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杨远程
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35
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北京大学
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电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
黎明
北京大学
黄如
北京大学
陈珙
北京大学
樊捷闻
北京大学
张昊
北京大学
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一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置
本发明涉及一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置,装置包括:显微镜、多个光纤传感器以及后端处理设备,将光纤传感器的光纤探头置于Fin线条侧墙同一侧,光纤探头和Fin表面距离在准直光纤临界距离内发射入射光;收集...
黄如
李佳
黎明
樊捷闻
杨远程
宣浩然
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制备准SOI源漏多栅器件的方法
本发明公开一种制备准SOI源漏多栅器件的方法,属于超大规模集成电路制造技术领域,所述方法依次包括如下步骤:在第一半导体衬底上形成Fin条形状的有源区;形成STI隔离层;淀积栅介质层和栅材料层,形成栅叠层结构;形成源漏延伸...
黄如
樊捷闻
黎明
杨远程
宣浩然
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制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法
本发明公开一种制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法,包括如下步骤:形成器件的有源区;形成器件的栅叠层结构;形成源漏延伸区的掺杂,并在栅叠层两侧形成第一层侧墙;形成凹陷的源漏结构;形成准SOI源漏隔离层;原位掺杂外延第二...
黄如
樊捷闻
黎明
杨远程
宣浩然
一种垂直沟道的纳米线生物传感器的集成方法
本发明提供一种垂直沟道纳米线生物传感器的集成方法,属于半导体制造技术领域。该方法结合刻蚀通孔、外延沟道、各向同性去除假栅层以实现垂直沟道的纳米线生物传感器的集成。本发明与传统的水平沟道结构相比,生物分子在溶液中进行布朗运...
黎明
陈珙
杨远程
黄如
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一种金字塔形阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种金字塔形阻变存储器及其制备方法,属于氧空位型阻变存储器领域。本发明通过采用将金字塔形尖端底电极的电场增强作用,加速氧空位在阻变介质中的迁移,控制导电细丝生长的位置和形状,与现有的平面型阻变存储器相比,该结...
黎明
李小康
张宝通
杨远程
黄如
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一种鞘层沟道结构的垂直纳米线器件及其制备方法
本发明公布了一种鞘层沟道结构的垂直纳米线器件及其制备方法,结合刻蚀通孔、淀积沟道材料、填充二氧化硅,获得集成的鞘层沟道结构垂直纳米线器件;包括:提供一半导体衬底,实现器件隔离;形成重掺杂的下有源区;淀积假栅叠层;通过刻蚀...
黎明
陈珙
杨远程
黄如
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一种空气侧墙结构的垂直纳米线器件的集成方法
本发明提供一种空气侧墙结构的垂直纳米线器件的集成方法,该方法结合刻蚀通孔、外延沟道材料的集成,制备了上有源区空气侧墙结构。与传统的二氧化硅或氮化硅侧墙结构相比,由于空气的相对介电常数为1,可以极大地减小栅极与上有源区之间...
黎明
陈珙
杨远程
黄如
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一种超薄硅化物的制备方法
本发明公开了一种超薄硅化物的制备方法。本方法为:1)在硅衬底上制备插入阻挡层;2)在制备的阻挡层上制备一金属层;3)对步骤2)得到的结构进行退火,使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物;4)去除多余的...
黎明
陈珙
杨远程
张昊
樊捷闻
黄如
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一种制备多层超细硅线条的方法
一种制备多层超细硅线条的方法,包括:制备硅的腐蚀掩蔽层;外延形成Fin及其两端的源漏区;形成多层超细硅线条。本发明的优点如下:原子层淀积可准确定义超细线条的位置,可控性好;对硅的各向异性腐蚀是自停止的,工艺窗口大,腐蚀所...
黎明
杨远程
樊捷闻
宣浩然
张昊
黄如
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制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法
本发明公开一种制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法,包括如下步骤:形成器件的有源区;形成器件的栅叠层结构;形成源漏延伸区的掺杂,并在栅叠层两侧形成第一层侧墙;形成凹陷的源漏结构;形成准SOI源漏隔离层;原位掺杂外延第二...
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