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莫要武

作品数：18 被引量：35H指数：3
供职机构：上海大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 6篇陶瓷
  • 6篇金刚石薄膜
  • 6篇半导体
  • 5篇导体
  • 5篇氧化铝
  • 5篇氧化铝陶瓷
  • 5篇金刚石膜
  • 5篇半磁半导体
  • 5篇CD
  • 4篇金刚石
  • 4篇刚石
  • 4篇碲
  • 3篇发光
  • 3篇复合材料
  • 3篇LPE
  • 3篇MN
  • 3篇复合材
  • 2篇多孔硅
  • 2篇液相外延
  • 2篇微波等离子体

机构

  • 18篇上海大学

作者

  • 18篇莫要武
  • 9篇夏义本
  • 7篇王鸿
  • 6篇吴汶海
  • 6篇居建华
  • 4篇王林军
  • 3篇刘祖刚
  • 3篇史伟民
  • 3篇桑文斌
  • 2篇蒋雪茵
  • 2篇黄晓琴
  • 2篇张文广
  • 2篇闵嘉华
  • 2篇钱永彪
  • 1篇陈炜
  • 1篇张志林
  • 1篇许少鸿
  • 1篇张婕
  • 1篇文黎星
  • 1篇范轶敏

传媒

  • 4篇应用科学学报
  • 4篇上海大学学报...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 3篇1998
  • 5篇1997
  • 3篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1992
  • 1篇1900
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究
1995年
在ＨＦ－ＨＮＯ＿３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）．金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明侵蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强。与阳极氧化样品相比，化学侵蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４～２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５～０．４１ｅＶ．还对比讨论了阳吸氧化多孔硅和化学浸蚀多孔硅的稳定性。
莫要武安其霖陈炜刘祖刚蒋雪茵史伟民吴汶海
关键词：硅化学浸蚀光致发光多孔硅
Al_2O_3陶瓷上沉积金刚石薄膜的研究
1995年
以酒精为碳源，用热丝ＣＶＤ法对不同表面状态的Ａｌ＿２Ｏ＿３衬底进行了金刚石薄膜沉积的比较。用扫描电镜，喇曼光谱和Ｘ射线衍射等方法检测了沉积出的金刚石膜的质量。并讨论了它们对成核和生长的影响。
黄晓琴夏义本莫要武王鸿
关键词：金刚石薄膜成核
半磁半导体(DMS) 碲锰镉(Cd/sub1-xM/subxTe) 的液相外延(LPE) 及溶液生长的研究
莫要武
影响InGaP／InP半导体激光器阈值电流密度若干问题的研究
1996年
本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成．并从实验上进行了仔细调整．获得了激射波长为１．３μｍ．失配量≤１．４×１０－３的ＤＨ结构ＬＰＥ工艺条件．探讨了新的腐蚀工艺和二次外延工艺参数对掩埋异质结构形成的影响；提出采用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，避免了纵向ｐ－ｎ结偏位现象的出现．获得了室温下阈值电流最低小于２５ｍＡ、在６０ｍＡ直流驱动下单面光输出功率高达１２．５ｍＷ、激射波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣ－ＰＢＨ激光器．
桑文斌闵嘉华钱永彪莫要武陈培峰王林军吴汶海刘苏生张向东
关键词：INGAASP半导体激光器磷化铟阈值电流密度
用RAS模型估算半磁半导体Cd_（1－x）Mn_xTe富碲溶液蒸汽压
1995年
Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的．本文用缔合规则溶液（ＲＡＳ）模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且和实验结果进行了定性比较．
莫要武吴汶海
关键词：半导体半磁半导体
氧化铝陶瓷/金刚石膜复合材料的表征及介电性质研究被引量：2
1998年
采用ＭＰＣＶＤ和ＨＦＣＶＤ在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石薄膜．用扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和Ｒａｍａｎ散射分析表征了沉积膜的质量，并测定和分析了氧化铝／金刚石膜复合材料的介电性质．
莫要武夏义本辛吉升黄晓琴王鸿
关键词：金刚石薄膜氧化铝陶瓷复合材料
半磁半导体(DMS)碲锰镉(Cd<,1-x>MnxTe)的液相外延(LPE)及溶液生长的研究
莫要武
氧气-乙炔火焰法在Al_2O_3陶瓷上沉积金刚石薄膜被引量：2
1997年
用氧气-乙炔火焰法在氧化铝陶瓷片上沉积出了金刚石薄膜，并观察了薄膜的形貌结构及其在基片上的分布规律．对基片进行适当的预处理，可以提高金刚石薄膜在基片上的成核密度．认为氧化铝陶瓷片与沉积金刚石薄膜之间易形成过渡层，初步探讨了在氧化铝陶瓷片上沉积金刚石薄膜的机理．
文黎星夏义本莫要武居建华黄晓琴王鸿
关键词：氧化铝陶瓷金刚石薄膜氧气
陶瓷-金刚石膜复合材料在微电子技术中的应用前景被引量：1
1997年
微电子技术、微电路构装技术、功能材料与器件技术的发展，使器件与电路工作速度不断提高和单位体积内热耗散量大幅度增加．这要求封装基片和构装基板材料具有极高的热导率和较小的介电系数．金刚石热导率高，介电系数低，介电损耗低，热膨胀系数与单晶硅非常接近，是目前电子器件、电路和系统的最理想的封装基片和构装基板．用金刚石膜为基础的复合材料来制备高热导率和低介电常数的基片，是一种性能／价格比非常高的选择．本文综述陶瓷－金刚石膜复合材料在微电子技术中的应用前景．并介绍目前我们的研究现状．
莫要武夏义本刘祖刚张婕居建华王鸿
关键词：金刚石复合材料微电子
MPCVD法在氧化铝陶瓷上的金刚石膜沉积及其成核分析被引量：10
1998年
用微波等离子体化学气相沉积 ( MPCVD)法在氧化铝陶瓷基片上沉积了金刚石薄膜。实验表明 ,对基片进行适当的预处理 ,包括用金刚石研磨膏仔细研磨和沉积前原位沉积一层无定形碳层 ,可显著提高成核密度 ;对硅衬底和氧化铝基片上金刚石膜的成核过程进行了对比分析 ,并提出了提高氧化铝基片上沉积金刚石的成核密度的措施。
莫要武夏义本居建华张婕王鸿
关键词：金刚石MPCVD氧化铝陶瓷
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共2页<12>
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