薛惠琼
- 作品数：11 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法
- 本发明提供了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，该传感器包括：具有正面梁‑岛结构和背面短梁结构的敏感薄膜、压敏电阻、重掺杂引线、金属引线和玻璃底座；敏感薄膜为硅衬底经过背面刻蚀产生背腔后形成的硅膜；正面梁‑岛结构位...
- 邵锦华薛惠琼王玮冰
- 非制冷红外焦平面CMOS读出电路设计被引量：4
- 2008年
- 在过去的10年里红外焦平面阵列成像技术逐渐进入了成熟期,从红外焦平面的发展背景出发,简要介绍了一种新颖的非制冷焦平面成像技术,论述了读出电路在红外焦平面信号传输中的作用并介绍了其基本框图,分析了国内外焦平面读出电路的现状,最后提出了一些在红外焦平面阵列读出电路设计中所需要注意的问题。
- 薛惠琼焦斌斌何伟欧毅陈大鹏叶甜春
- 关键词：非制冷红外焦平面读出电路
- 非制冷红外焦平面阵列进展被引量：11
- 2008年
- 非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。
- 何伟焦斌斌薛惠琼欧毅陈大鹏叶甜春
- 关键词：非制冷红外焦平面阵列热释电热电堆光力学
- 一种二极管型非制冷红外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种二极管型非制冷红外探测器。该结构包括两大部分：非制冷红外探测器器件部分及非制冷红外探测器读出电路部分。其中非制冷红外探测器部分包括红外吸收层、红外热敏区、绝热悬空结构和电气连接线部分；本发明还公开了一种二...
- 薛惠琼陈大鹏刘瑞文王玮冰傅建宇贾云丛候影
- 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
- 本发明涉及一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A、硅片氧化还原，在纵向形成所述底硅层，埋氧层与顶硅层，同时通过底硅刻蚀，形成深槽，填充及平坦化，以在横向划分红外探测单...
- 何伟明安杰薛惠琼焦斌斌欧毅陈大鹏
- 文献传递
- 非制冷红外探测器及其读出电路的研究
- 近年来非制冷红外成像技术得到了飞速发展和广泛应用，军用和商用的双重使用概念将促使其向成本降低和面向实用的方向发展，非制冷红外焦平面包括两个核心部件红外探测器及其读出电路，它的性能将会随着新型探测器和信号处理新技术的出现而...
- 薛惠琼
- 关键词：红外探测器读出电路绝缘体上硅二极管
- 文献传递
- 一种二极管型非制冷红外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种二极管型非制冷红外探测器。该结构包括两大部分：非制冷红外探测器器件部分及非制冷红外探测器读出电路部分。其中非制冷红外探测器部分包括红外吸收层、红外热敏区、绝热悬空结构和电气连接线部分；本发明还公开了一种二...
- 薛惠琼陈大鹏刘瑞文王玮冰傅建宇贾云丛候影
- 文献传递
- 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
- 本发明涉及一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A.硅片氧化还原，在纵向形成所述底硅层，埋氧层与顶硅层，同时通过底硅刻蚀，形成深槽，填充及平坦化，以在横向划分红外探测单...
- 何伟明安杰薛惠琼焦斌斌欧毅陈大鹏
- 文献传递
- 基于SOI Si片的二极管红外探测器被引量：4
- 2009年
- 介绍了红外热成像技术的几种技术方案,重点介绍了以二极管作为红外探测器的非制冷红外热成像技术。通过理论分析和ISE-TCAD软件模拟、采用SOISi片流片和测试,分别得到了单晶Si二极管在固定偏置电流下的电压-温度响应特性,理论分析、模拟和实测结果三者吻合很好。在1μA的偏置电流下,单个二极管的温度灵敏度分别为1.40,1.35和1.52mV/K,三者的差别主要是由于理论分析和ISE-TCAD软件模拟中没有考虑欧姆接触电阻和引线电阻等串联电阻。
- 何伟陈大鹏明安杰黄卓磊欧毅焦斌斌薛惠琼
- 关键词：红外热成像红外探测器二极管SOI温度灵敏度
- 非制冷热敏二极管型红外焦平面阵列电压温度系数的分析与优化（英文）被引量：2
- 2018年
- 灵敏度是非制冷热敏二极管型红外焦平面阵列（IRFPA）的一项重要性能指标。二极管结构的电压温度系数（VTC）对灵敏度有很大的影响。分析了二极管结构的设计参数和工艺参数对其电压温度系数的影响,仿真结果表明二极管的串联个数和pn结结面积是两项重要因素。因此,设计出6个串联＂阱＂形pn结的二极管结构,并对具有该结构的热敏二极管型红外焦平面阵列进行了流片。测试结果表明,在10μA正向偏置电流下,二极管结构的电压温度系数为8.2 mV/K,单个像素的灵敏度为19.1μV/K。不同结面积结构的测试结果表明,增加结面积能有效提升二极管结构的电压温度系数和灵敏度。
- 张强张强吕文龙刘瑞文魏德波侯影薛惠琼傅剑宇王玮冰
- 关键词：PN结二极管
