解冰
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 半导体参数分析系统
- 本发明涉及一种半导体器件参数分析系统。包括半导体参数测试仪器，计算机，测试台，计算机与测试仪器接口卡，半导体参数分析软件系统。半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件I-V输出特性；半导体参数分析软件系统对测得的I-V特性...
- 许铭真谭长华何燕东卫建林解冰刘晓卫
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- 一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法
- 本发明提供一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基器件表面淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶，并对待腐蚀区域进行光刻；刻蚀待腐蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理...
- 蔡金宝王金延刘洋徐哲王茂俊于民解冰吴文刚
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- 一种可变电容及其制作方法
- 本发明提供一种可变电容及其制作方法。该可变电容包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。该方法包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长高阻GaN层和高迁移率GaN层；在高迁移率GaN层上...
- 靳纯艳王金延方敏张波王茂俊于民解冰吴文刚
- 文献传递
- 一种预测FLOTOX EEPROM可靠性的方法
- 本文提出一种预测FLOTOX EEPROM可靠性的方法,该方法利用EEPROM擦写过程中隧道氧化层中的陷阱电荷的产生时间常数与阈值窗口开始关闭的时间成正比来预测脉冲应力电压相对较低时的阈值窗口关闭的时间,该方法与'利用脉...
- 解冰许铭真谭长华
- 关键词：可靠性
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- 用陷阱参数预测MOS器件的失效时间
- 解冰许铭真谭长华
- 关键词：MOS器件电参数
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- MOS结构的高场蜕变效应的实验研究
- 该文首先采用准静态C-V特性与高频C-V特性相结合的方法研究栅注入和衬底注入两种情形下Si/Si02界面的新生界面陷阱的产生与恢复特性,同时也研究了应力不同、应力时间相同的情况下新生界面陷阱的产生规律,以及应力相同、而应...
- 解冰
- 关键词：少子产生寿命集成电路金属氧化物半导体
- 一种制作空气桥及电感的方法
- 本发明提供一种制作空气桥及电感的方法。其步骤主要包括：在基片上利用光刻胶制作第一牺牲胶层；在第一牺牲胶层上涂敷光刻胶制作第二牺牲胶层，该第二牺牲胶层的长度小于第一牺牲胶层的长度；通过烘烤使牺牲胶层的边角圆滑并固化，形成拱...
- 张波靳纯艳方敏王金延王茂俊于民解冰吴文刚
- 文献传递
- 快闪存储器的可靠性研究
- 半导体存储器代表了当代最先进的集成电路工艺技术和最高集成度，快闪存储器作为目前应用非常广泛的半导体器件，国内外对FLOTOX（Floating-Gate
Tunnel Oxide）结构的EEPROM及Flash M...
- 解冰
- GaN垂直结构器件结终端设计
- 2023年
- 得益于优异的材料性能,基于宽禁带半导体氮化镓(GaN)的功率电子器件得到广泛关注。与横向的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构相比,垂直结构的GaN功率器件更易于实现高耐压和大电流,且其不被表面陷阱态影响,性能较为稳定,有望进一步拓展在中高压领域的应用。在垂直器件中,一个重要的设计是利用结终端来扩展器件内部电场的分布,减轻或消除结边缘的电场集聚效应,防止功率器件的过早击穿。结合GaN垂直结构肖特基二极管(SBD)以及PN结二极管(PND),回顾了常用的结终端设计方法和工艺技术,对各自的优缺点进行了总结。此外,GaN的材料性能与传统硅(Si)以及碳化硅(SiC)材料存在较大差异,讨论了其对结终端设计和制备的影响。
- 徐嘉悦王茂俊魏进解冰解冰沈波
- 关键词：宽禁带半导体氮化镓二极管结终端
- 半导体参数分析方法及其系统
- 本发明涉及一种半导体器件参数比例差值算符分析方法及其系统。先通过半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件Ⅰ－Ⅴ输出特性,然后通过比例差值算符分析软件系统对上述Ⅰ－Ⅴ特性进行比例差值处理,得到相应的比例差值Ⅰ－Ⅴ函数特性和半...
- 许铭真谭长华何燕东卫建林解冰刘晓卫
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