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赛小峰

作品数：9 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇光电
  • 5篇光电阴极
  • 4篇砷化镓
  • 3篇GAAS光电...
  • 2篇阳极
  • 2篇深空
  • 2篇深空探测
  • 2篇通信
  • 2篇离子探测
  • 2篇量子
  • 2篇量子通信
  • 2篇解码
  • 2篇解码方法
  • 2篇分辨率
  • 2篇高分辨率
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电子亲合势
  • 1篇阴极蒸发
  • 1篇载流子

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇赛小峰
  • 6篇侯洵
  • 3篇张书明
  • 3篇朱李安
  • 3篇米侃
  • 3篇韦永林
  • 3篇高鸿楷
  • 2篇李梅
  • 2篇张景文
  • 2篇孙长印
  • 2篇赵宝升
  • 2篇鄢秋荣
  • 2篇刘永安
  • 2篇赵菲菲
  • 2篇朱香平
  • 2篇杨颢
  • 2篇何益民
  • 1篇王兴
  • 1篇白永林
  • 1篇卢裕

传媒

  • 5篇光子学报
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 3篇1998
  • 2篇1996
  • 1篇1995
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种高分辨率位敏阳极探测器及其阳极解码方法
本发明涉及一种高分辨率位敏阳极探测器及其阳极解码方法，属于多阳极探测技术领域，提供一种具有极高的分辨率和较小的图像扭曲、阳极面板设计面积不受限制的电荷分割型高分辨率位敏阳极探测器及其阳极解码方法，目的是解决现有多阳极探测...
赵宝升鄢秋荣刘永安杨颢朱香平韦永林赛小峰赵菲菲李梅
文献传递
P型薄层GaAs中少数载流子寿命的研究
还探讨了可用波长为0.53μm，单脉冲宽度小于10PS的YAG激光器作为激光发源，激发GaAlAa/GaAs/GaAlAs/玻璃结构的样品，建立了测量GaAs层中非平衡少数栽流子寿命的实验装置，并获得了部分测量结果。通过...
米侃张工力赛小峰侯洵
关键词：载流子砷化镓
NEA GaAs光电阴极激活工艺研究
1996年
本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.
张书明孙长印朱李安赛小峰程昭何益民高鸿楷侯洵
关键词：光电阴极砷化镓
GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析
1996年
我们在一台制作第三代象增强器的超高真空系统中安装了俄歇（Ａｕｇｅｒ）能谱仪，以其对ＧａＡｓ光电阴极的制备过程进行在线监测分析，其中包括选择性腐蚀过程的俄歇观测，阴极激活前清洁措施的效果评价和Ｃｓ－Ｏ激活过程中Ａｓ／Ｇａ俄歇信号比对光电灵敏度的影响，Ｃｓ源纯度的分析及对光电发射的影响。根据分析结果，激活出了１０００μＡ／ｌｍ的反射式光电阴极和５００μＡ／ｌｍ的透射式光电阴极。
孙长印张书明朱李安赛小峰高鸿楷侯洵
关键词：光电阴极俄歇分析
负电子亲合势GaAs光电阴极稳定性的研究
1998年
本文采用在超高真空系统中引入少量Ａｒ气及在激活到最高灵敏度时维持一定Ｃｓ蒸气压的方法，改进了激活系统的环境气氛，使阴极在台内的寿命得到极大地延长，为封管提供了足够的时间文中还探讨了影响阴极稳定性的重要因素。
米侃张景文赛小峰何益民高鸿楷侯洵
关键词：光电阴极稳定性砷化镓
一种高分辨率位敏阳极探测器及其阳极解码方法
本发明涉及一种高分辨率位敏阳极探测器及其阳极解码方法，属于多阳极探测技术领域，提供一种具有极高的分辨率和较小的图像扭曲、阳极面板设计面积不受限制的电荷分割型高分辨率位敏阳极探测器及其阳极解码方法，目的是解决现有多阳极探测...
赵宝升鄢秋荣刘永安杨颢朱香平韦永林赛小峰赵菲菲李梅
一种条纹变像管的制备方法
本发明涉及光电器件技术领域，尤其涉及一种条纹变像管的制作方法。该条纹变像管的制作方法包括：1)组件准备、2)组件装调、3)阴极制作，其改进之处是：还包括步骤4)转移铟封；采用转移系统热铟封制作条纹变像管可极大地避免光电阴...
王兴田进寿白永林赛小峰段东平卢裕徐向宴韦永林雷鸣轩张铁董改云王俊锋温文龙刘虎林辛丽伟
文献传递
抗反射膜SiN的热退火特性被引量：3
1995年
本文研究了ＰＥＣＶＤ抗反射膜ＳｉＮ的热退火特性。测量结果表明，经过制备ＧａＡｓ透射光阴极的热压粘结工艺的热退火处理ＳｉＮ薄膜的折射率增加了约０．１，薄膜厚度减少了约１５％。ＩＲ透射谱分析表明，这是由于退火后膜中Ｈ的释放而引起化学键比例变化所致。此项工作为透射式ＧａＡｓ光阴极抗反射膜的设计和制备提供了依据。
张书明赛小峰侯洵
关键词：热退火抗反射膜氮化硅
透射式GaAs光电阴极的X射线衍射研究
1998年
本文介绍了高精度多晶多反射X射线衍射仪的一种新的应用．首次将其应用于研究高灵敏度第三代微光象增强器中由掺Zn的p型GaAs／GaAlAs、玻璃组成的光电阴极的材料特性；发展了用倒格子空间衍射图方法评价光电阴级组件晶体质量的方法．通过分析得知，衍射强度在倒格子空间沿。方向展宽主要起因于晶体中的嵌镶效应的增强．文中采用衍射动力学理论的计算方法并忽略初始条件，模拟后得到的曲线与衍射强度沿ω／θ方向的投影强度曲线符合的比较好．粘接良好的阴极样品表明，GaAs／GaAlAs晶格常数的变化基本上可以消除，但粘接引起的嵌镶效应的增强却不能完全消除．
米侃朱李安赛小峰张景文侯洵
关键词：光电阴极砷化镓
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