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辛治军

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电池
  • 5篇太阳电池
  • 5篇太阳光
  • 5篇太阳光谱
  • 5篇光谱
  • 3篇压电薄膜
  • 3篇声表面波
  • 3篇声表面波器件
  • 3篇金刚石
  • 3篇溅射
  • 3篇刚石
  • 3篇薄膜太阳电池
  • 3篇SUB
  • 3篇铟
  • 3篇镓
  • 3篇衬底
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 3篇X
  • 2篇氮化硼薄膜

机构

  • 11篇天津理工大学

作者

  • 11篇辛治军
  • 10篇潘宏刚
  • 10篇朱亚东
  • 10篇宋殿友
  • 10篇薛玉明
  • 10篇刘君
  • 7篇冯少君
  • 7篇张嘉伟
  • 7篇尹振超
  • 7篇刘浩
  • 3篇杨保和
  • 1篇苏林

年份

  • 8篇2013
  • 3篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种电子型氮铟镓n-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜及其制备
一种电子型氮铟镓n-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜，化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N，式中x为0.05-0.3，导电类型为n型，即Si掺杂电子...
薛玉明潘宏刚宋殿友朱亚东刘君辛治军冯少君尹振超张嘉伟刘浩尹富红
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柔性衬底CIGS太阳电池的制备
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池由于吸收系数高、带隙可调、制作成本低、性能稳定、转换效率高、抗辐射能力强、弱光特性好等诸多优点，成为现代光伏界的研究热点。以柔性材料为衬底的CIGS薄膜太阳电池具有高的重量功率比，适合单片...
辛治军
关键词：薄膜太阳电池柔性衬底铜铟镓硒单片集成
一种电子型氮化镓n-GaN薄膜及其制备方法
一种电子型氮化镓n-GaN薄膜，其化学分子式为GaN，导电类型为n型，即Si掺杂电子型，厚度为0.6-1μm；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行表面等离子体清洗，然后在沉积室中采用MOCVD工艺...
薛玉明宋殿友潘宏刚朱亚东刘君尹富红辛治军冯少君尹振超张嘉伟刘浩
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一种用于声表面波器件的高相速压电薄膜及其制备方法
一种用于声表面波器件的高相速压电薄膜，由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层立方氮化硼薄膜构成，所述立方氮化硼薄膜是厚度为0.4-0.6μm的纳米薄膜，其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室，对金刚石衬底表面进行等离子体...
薛玉明杨保和宋殿友潘宏刚朱亚东刘君辛治军
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一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜及其制备方法
一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜，由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层六方氮化硼薄膜构成，所述六方氮化硼薄膜是厚度为0.6-0.8μm的纳米薄膜；其制备方法是：在在MOCVD沉积系统的进样室，先对金刚石衬底表面进行表面...
薛玉明杨保和潘宏刚朱亚东刘君宋殿友辛治军
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一种用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜及其制备方法
一种用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜，由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层氮化铝薄膜构成，所述氮化铝薄膜是厚度为0.6-0.7μm的纳米薄膜；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室，首先对金刚石衬底表面进行等离子体清洗...
薛玉明杨保和苏林朱亚东刘君宋殿友潘宏刚辛治军
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一种空穴型氮铟镓p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜及其制备
一种空穴型氮铟镓p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜，化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N，式中x为0.3-0.8，导电类型为p型，即Mg掺杂空穴型...
薛玉明宋殿友潘宏刚朱亚东刘君尹振超辛治军冯少君张嘉伟刘浩尹富红
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一种聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底及其制备方法
一种聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成，其中苏打玻璃的厚度为1.5-2mm，聚酰亚胺膜厚度为25-30μm；其制备方法是：将聚酰亚胺胶涂覆于苏打玻璃表面，经过匀胶、固化工艺得到聚酰亚胺...
薛玉明张嘉伟宋殿友潘宏刚刘君朱亚东尹振超冯少君辛治军尹富红刘浩
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一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜及其制备方法
一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜，其化学分子式为GaN，该氮铟镓薄膜沉积在衬底上，薄膜厚度为0.6-1μm；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行表面等离子体清洗，然后在MOCVD沉积系统的沉积室...
薛玉明刘君潘宏刚宋殿友朱亚东刘浩辛治军冯少君尹振超张嘉伟尹富红
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一种空穴型氮铟镓p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜及其制备
一种空穴型氮铟镓p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜，化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N，式中x为0.3-0.8，该空穴型氮铟镓薄膜具有反型n表面...
薛玉明朱亚东潘宏刚宋殿友刘君张嘉伟辛治军尹振超尹富红刘浩冯少君
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