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辛治军
作品数:
11
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供职机构:
天津理工大学
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相关领域:
理学
电气工程
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合作作者
刘君
天津理工大学
薛玉明
天津理工大学
宋殿友
天津理工大学
朱亚东
天津理工大学
潘宏刚
天津理工大学
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天津理工大学
作者
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辛治军
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潘宏刚
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宋殿友
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刘君
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2013
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一种电子型氮铟镓n-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜及其制备
一种电子型氮铟镓n-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜,化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N,式中x为0.05-0.3,导电类型为n型,即Si掺杂电子...
薛玉明
潘宏刚
宋殿友
朱亚东
刘君
辛治军
冯少君
尹振超
张嘉伟
刘浩
尹富红
文献传递
柔性衬底CIGS太阳电池的制备
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池由于吸收系数高、带隙可调、制作成本低、性能稳定、转换效率高、抗辐射能力强、弱光特性好等诸多优点,成为现代光伏界的研究热点。以柔性材料为衬底的CIGS薄膜太阳电池具有高的重量功率比,适合单片...
辛治军
关键词:
薄膜太阳电池
柔性衬底
铜铟镓硒
单片集成
一种电子型氮化镓n-GaN薄膜及其制备方法
一种电子型氮化镓n-GaN薄膜,其化学分子式为GaN,导电类型为n型,即Si掺杂电子型,厚度为0.6-1μm;其制备方法是:在MOCVD沉积系统的进样室中,对衬底表面进行表面等离子体清洗,然后在沉积室中采用MOCVD工艺...
薛玉明
宋殿友
潘宏刚
朱亚东
刘君
尹富红
辛治军
冯少君
尹振超
张嘉伟
刘浩
文献传递
一种用于声表面波器件的高相速压电薄膜及其制备方法
一种用于声表面波器件的高相速压电薄膜,由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层立方氮化硼薄膜构成,所述立方氮化硼薄膜是厚度为0.4-0.6μm的纳米薄膜,其制备方法是:在MOCVD沉积系统的进样室,对金刚石衬底表面进行等离子体...
薛玉明
杨保和
宋殿友
潘宏刚
朱亚东
刘君
辛治军
文献传递
一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜及其制备方法
一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜,由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层六方氮化硼薄膜构成,所述六方氮化硼薄膜是厚度为0.6-0.8μm的纳米薄膜;其制备方法是:在在MOCVD沉积系统的进样室,先对金刚石衬底表面进行表面...
薛玉明
杨保和
潘宏刚
朱亚东
刘君
宋殿友
辛治军
文献传递
一种用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜及其制备方法
一种用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜,由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层氮化铝薄膜构成,所述氮化铝薄膜是厚度为0.6-0.7μm的纳米薄膜;其制备方法是:在MOCVD沉积系统的进样室,首先对金刚石衬底表面进行等离子体清洗...
薛玉明
杨保和
苏林
朱亚东
刘君
宋殿友
潘宏刚
辛治军
文献传递
一种空穴型氮铟镓p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜及其制备
一种空穴型氮铟镓p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜,化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N,式中x为0.3-0.8,导电类型为p型,即Mg掺杂空穴型...
薛玉明
宋殿友
潘宏刚
朱亚东
刘君
尹振超
辛治军
冯少君
张嘉伟
刘浩
尹富红
文献传递
一种聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底及其制备方法
一种聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底,由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成,其中苏打玻璃的厚度为1.5-2mm,聚酰亚胺膜厚度为25-30μm;其制备方法是:将聚酰亚胺胶涂覆于苏打玻璃表面,经过匀胶、固化工艺得到聚酰亚胺...
薛玉明
张嘉伟
宋殿友
潘宏刚
刘君
朱亚东
尹振超
冯少君
辛治军
尹富红
刘浩
文献传递
一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜及其制备方法
一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜,其化学分子式为GaN,该氮铟镓薄膜沉积在衬底上,薄膜厚度为0.6-1μm;其制备方法是:在MOCVD沉积系统的进样室中,对衬底表面进行表面等离子体清洗,然后在MOCVD沉积系统的沉积室...
薛玉明
刘君
潘宏刚
宋殿友
朱亚东
刘浩
辛治军
冯少君
尹振超
张嘉伟
尹富红
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一种空穴型氮铟镓p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜及其制备
一种空穴型氮铟镓p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜,化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N,式中x为0.3-0.8,该空穴型氮铟镓薄膜具有反型n表面...
薛玉明
朱亚东
潘宏刚
宋殿友
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