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氮化镓材料中深能级的研究: 由于优良的性质及巨大的应用价值,GaN被誉为第三代半导体的典型代表。近年来,GaN的相关领域吸引了越来越多的研究者的目光。由于GaN材料的禁带宽度覆盖了从可见光到紫外部分,及其优良的热稳定性和化学...; 邓冬梅; 关键词：GAN 淬灭

金属有机化学汽相淀积生长的本征氮化镓中持续光电导和复合机制的研究(英文): 2006年; 通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360 nm～377 nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制。实验的结果证明了两种持续光电导的特性:一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响。基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的。; 邓冬梅吴春瑜王金延文正郝一龙王阳元; 关键词：电子陷阱

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邓冬梅