钱可元
- 作品数：91 被引量：699H指数：15
- 供职机构：清华大学深圳研究生院半导体照明实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程机械工程理学更多>>
- 氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响被引量：1
- 2004年
- 研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对AlGaN表面特性的影响。在合适的条件下,氧气等离子体处理可以使AlGaN表面发生氧化,并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级,反向击穿电压也有显著提高。该方法简单易行,可应用于制备高性能的AlGaN/GaNHEMT器件。
- 唐广郝智彪钱可元罗毅
- 关键词：ALGAN肖特基接触等离子体
- 硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用被引量：1
- 2004年
- 基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上。
- 孙洋钱可元韩彦军蔡鹏飞罗毅雷建都童爱军
- 关键词：硅材料湿法刻蚀凸角补偿
- 准确测量大功率LED热阻的新方法被引量：8
- 2009年
- 准确测量大功率LED的热阻,关键是准确地确定LED的结温增量。首先利用正向电压法获得LED的结温;通过测量LED的降温曲线,计算获得LED稳定工作时底座的温度,从而得到LED的结温相对底座温度的增量。然后,再与注入电功率相除,即可得到准确的热阻。与常规方法相比,避免了直接测量LED底座温度中界面热阻的影响,使得测量LED的热阻更加准确、方便。该方法还可以用于测量贴片封装LED等常规方法难以测量的LED以及用于分析大功率LED二次封装时引入的热阻,为评价大功率LED的封装质量提供了一种有效的评测手段。
- 周长波钱可元罗毅
- 关键词：热阻结温大功率LED发光二极管
- 一种航标灯单元及其应用
- 一种航标灯单元及其应用属于针对LED光源的不具有旋转对称性的三维光学系统设计技术领域。其特征在于，该单元含有航标灯透镜，所述航标灯透镜的内表面为将光线在x轴方向压缩到一个给定角度的侧准直表面，所述航标灯透镜的外表面为一个...
- 罗毅钱可元王霖
- 文献传递
- CdSe纳米材料对大功率白光LED显色性能的影响被引量：2
- 2010年
- 利用CdSe纳米材料可以通过改变其大小和形状得到不同波段发射光谱的特点,在常规荧光粉中加入发射波长为630nm的红色CdSe纳米材料,补充大功率白光LED光谱在深红波段的缺失。结果表明:引入红色CdSe纳米材料后,大功率白光LED的显色指数最高可到90左右,色温降低,但光效有所下降。这种方法为提高大功率白光LED显色指数提供了一种新的解决方案。
- 马骏钱可元罗毅
- 关键词：大功率白光LED显色指数
- 准直发光二极管封装结构
- 一种具有准直功能的发光二极管的封装结构，属于发光二极管照明应用中的封装领域，其特征是通过采用一个具有旋转对称性的准直透镜封装发光二极管芯片，从而使得发光二极管出射的光通过准直透镜以后以较小发散角度出射，形成一个定向发射的...
- 罗毅钱可元胡飞
- 文献传递
- 大尺寸LED背光源光学设计与优化（英文）
- ＜正＞～～
- 钱可元罗毅郝东晶
- 文献传递
- 基于LED的直下式动态LCD背光源被引量：4
- 2008年
- 对液晶显示来说,与静态背光源相比,直下式动态背光源具有多种优点。提出了一种基于LED的直下式动态背光源结构,将单个LED发出的光投射区域限制在散光膜的单一区域,即每个LED只负责液晶部分区域的背光照明。基于该结构,对240mm×180mm尺寸的背光源仿真结果进行了理论分析,结果表明其亮度均匀度达到93.1%,ΔU′V′小至0.003545,完全满足背光源应用要求。
- 刘佳尧钱可元韩彦军罗毅
- 关键词：背光源LED
- 基于非辐射复合缺陷测量的GaN基LED老化性能研究被引量：1
- 2013年
- 外延晶格失配等引入的非辐射复合缺陷是影响GaN基LED性能的重要因素。对不同LED样品老化1 600h前后的I-V特性、理想因子以及量子效率、发光特性进行了测量研究,并结合非辐射复合缺陷的定量测量,分析验证了非辐射复合缺陷对LED老化性能的影响。结果表明,非辐射复合缺陷是造成GaN基LED老化过程中隧穿电流增大、I-V特性偏离理想模型、理想因子增大以及光输出非线性化等现象的根本因素。在此基础上建立了非辐射复合缺陷浓度与LED老化性能之间的关系模型,提出了一种基于非辐射复合缺陷浓度及其恶化系数的GaN基LED老化性能评测方法。
- 郭祖强钱可元
- 关键词：GAN基LED
- GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析被引量：61
- 2006年
- 与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LED芯片散热能力的主要因素;而对于正装LED芯片,由于工艺简单,减少了中间热沉,通过结构的优化,工艺的改进,完全可以达到与倒装焊LED芯片相同的散热能力。
- 钱可元郑代顺罗毅
- 关键词：功率型LED散热性能热阻
